第1章半导基础知识.pptVIP

室温条件下，在二极管两端加上规定的反向电压时，流过管子的反向电流。通常希望IR值愈小愈好。IR受温度的影响很大。最高工作频率fMfM值主要决定于PN结结电容的大小。结电容愈大，则二极管允许的最高工作频率愈低。下页上页反向电流IR首页第30页，共48页，星期日，2025年，2月5日二极管除了具有单向导电性以外，还具有一定的电容效应。势垒电容Cb由PN结的空间电荷区形成，又称结电容，反向偏置时起主要作用。扩散电容Cd由多数载流子在扩散过程中的积累引起，正向偏置时起主要作用。第31页，共48页，星期日，2025年，2月5日1.2.4二极管的应用整流电路限幅电路第32页，共48页，星期日，2025年，2月5日[例1.2.1]已知uI=Umsinωt，画出uO和uD的波形VDR+-+-uIuO+-uDiOUmωtuoOωtuDOuI＞0时二极管导通，uO=uIuD=0uI＜0时二极管截止，uD=uIuO=0-UmioUmωtuIO1.整流电路第33页，共48页，星期日，2025年，2月5日[例1.2.2]已知uI=Umsinωt，画出uO的波形VDR+-+-uIuO+-uDiOUmωtuoOωtuDO-UmioUmωtuIO2.限幅电路第34页，共48页，星期日，2025年，2月5日模拟电子技术基础第1章半导基础知识第1页，共48页，星期日，2025年，2月5日数字量和模拟量数字量：在时间和数量上都是离散变化的物理量。0f(t)tt1t3t5t2t4...时间离散，数量离散；数字信号：用来表示数字量的信号。特点：物理量的数值大小和每次的增减量变化都是某一个最小数量单位△的整数倍。数字电路：工作在数字信号下的电路。第2页，共48页，星期日，2025年，2月5日模拟电路与数字电路模拟电路：主要用于放大、滤波、信号转换、信号发生、直流电源、高保真和移动通信等方面。数字电路：随着计算机科学与技术的高速发展，用数字电路进行数字信号处理的优势也更加突出。第3页，共48页，星期日，2025年，2月5日第1章半导体二极管及其应用1.1半导体的基础知识1.2半导体二极管1.3特殊用途的二极管小结第4页，共48页，星期日，2025年，2月5日1.1半导体基础知识1.1.1半导体的导电特性1.1.2PN结及其单向导电性第5页，共48页，星期日，2025年，2月5日硅(锗)的原子结构简化模型价电子1.1.1半导体的导电特性一、本征半导体导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。如：碳(C)、硅(Si)、锗(Ge)1.1半导体基础知识半导体器件是构成电子电路的基本元件，经过特殊加工、性能可控。第6页，共48页，星期日，2025年，2月5日二、本征半导体的晶体结构本征半导体：纯净的具有晶体结构的半导体。如单晶硅、锗。第7页，共48页，星期日，2025年，2月5日三、本征半导体中的两种载流子价电子受外界因素的影响（温度增高、受光照等）获得一定能量后，摆脱原子核的束缚（电子受到激发），成为自由电子，同时共价键中留下的空位称为空穴。图1.1.2本征半导体中的自由电子和空穴本征激发：第8页，共48页，星期日，2025年，2月5日图1.1.2本征半导体中的自由电子和空穴第9页，共48页，星期日，2025年，2月5日四、本征半导体中的载流子浓度3.在一定的温度条件下，载流子的数目是一定的。2.动态平衡 ：在温度不变的情况下，本征激发复合1.复合：自由电子和空穴在运动中相遇重新结合成对消失的过程。结论：1）本征半导体中电子空穴成对出现，且数量少；2）半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电；3）本征半导体导电能力弱，并与温度有关。第10页，共48页，星期日，2025年，2月5日杂质半导体通过扩散工艺，在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素,得到杂质半导体。掺杂：由于掺入的杂质不同，杂质半导体分为：N型(Negative)P型(Positive)第11页，共48页，星期日，2025年，2月5日图1.1.3N型半导体一、N型半导体在本征半导体中掺入5价元素（如磷）。电子为多数载流子