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掺杂氧化锌纤维膜：制备工艺、表征技术与外延生长机制的深度探究.docx

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    掺杂氧化锌纤维膜：制备工艺、表征技术与外延生长机制的深度探究

    一、引言

    1.1研究背景与意义

    氧化锌（ZnO）作为一种重要的宽带隙半导体材料，具有六方纤锌矿结构，在室温下禁带宽度约为3.37eV，激子结合能高达60meV。这些优异的物理特性赋予了ZnO诸多独特的性能，使其在众多领域展现出广阔的应用前景。

    在光电子领域，ZnO因其良好的光电特性，可用于制作短波长发光器件。其较高的激子结合能使得在室温下能够实现高效的激子复合发光，有望应用于紫外发光二极管（UV-LED）、激光二极管（LD）等器件中，为光通信、光存储、生物医疗检测等领域提供关键的光源支持。在太阳能电池方面，ZnO薄

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