2025年半导体物理学题库课件资料.docVIP

填空題

能带中载流子的有效质量反比于能量函数對于波矢的_________，引入有效质量的意义在于其反应了晶体材料的_________的作用。（二阶导数，内部势場）

半导体导带中的電子浓度取决于导带的_________（即量子态按能量怎样分布）和_________（即電子在不一样能量的量子态上怎样分布）。（状态密度，费米分布函数）

两种不一样半导体接触後,?费米能级较高的半导体界面一侧带________電，到达热平衡後两者的费米能级________。（正，相等）

半导体硅的价带极大值位于空间第一布裏渊区的中央，其导带极小值位于________方向上距布裏渊区边界约0.85倍处，因此属于_________半导体。（[100]，间接带隙）

间隙原子和空位成對出現的點缺陷称為_________；形成原子空位而無间隙原子的點缺陷称為________。（弗仑克耳缺陷，肖特基缺陷）

在一定温度下，与费米能级持平的量子态上的電子占据概率為_________，高于费米能级2kT能级处的占据概率為_________。（1/2，1/1+exp(2)）

從能带角度来看，锗、硅属于_________半导体，而砷化稼属于_________半导体，後者有助于光子的吸取和发射。（间接带隙，直接带隙）

一般把服從_________的電子系统称為非简并性系统，服從_________的電子系统称為简并性系统。（玻尔兹曼分布，费米分布）

9.對于同一种半导体材料其電子浓度和空穴浓度的乘积与_________有关，而對于不一样的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于_________的大小。（温度，禁带宽度）

10.半导体的晶格构造式多种多样的，常見的Ge和Si材料，其原子均通過共价键四面体互相結合，属于________构造；与Ge和Si晶格构造类似，两种不一样元素形成的化合物半导体通過共价键四面体還可以形成_________和纤锌矿等两种晶格构造。（金刚石，闪锌矿）

假如電子從价带顶跃迁到导带底時波矢k不发生变化，则具有這种能带构造的半导体称為_________禁带半导体，否则称為_________禁带半导体。（直接，间接）

12.半导体载流子在输运過程中，會受到多种散射机构的散射，重要散射机构有_________、??_________?、中性杂质散射、位錯散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。（電离杂质的散射，晶格振動的散射）

13.半导体中的载流子复合可以有诸多途径，重要有两大类：_________的直接复合和通過禁带内的_________進行复合。（電子和空穴，复合中心）

14.反向偏置pn結，當電压升高到某值時，反向電流急剧增長，這种現象称為pn結击穿，重要的击穿机理有两种：_________击穿和_________击穿。（雪崩，隧道）

15._________杂质可明显变化载流子浓度；_________杂质可明显变化非平衡载流子的寿命，是有效的复合中心。（浅能级，深能级）

选择題

1．本征半导体是指（A）的半导体。

A．不含杂质和缺陷B．電阻率最高

C．電子密度和空穴密度相等D．電子密度与本征载流子密度相等

2.假如二分之一导体的导带中发現電子的几率為零，那么该半导体必然（D）。

A.不含施主杂质B.不含受主杂质

C.不含任何杂质D.处在绝對零度

3.有效复合中心的能级必靠近(?A?)。?

禁带中部??????????B.导带???????????C.价带??????????D.费米能级?

4．對于只含一种杂质的非简并n型半导体，费米能级EF随温度上升而（D）。

A.單调上升B.單调下降

C.通過一种极小值趋近EiD.通過一种极大值趋近Ei

5.當一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定期，其小注入下的少子寿命正比于（A）。

A.1/n0????????????????B.1/△n??????????C.1/p0??????????D.1/△p?

6.在Si材料中掺入P，则引入的杂质能级（B）

A.在禁带中线处B.靠近导带底C.靠近价带顶D.以上都不是

7．公式中的τ是半导体载流子的（C）。

A.迁移時间B.寿命

C.平均自由時间D.扩散時间

8.對于一定的n型半导体材料，温度一定期，減少掺杂浓度，将导致（D）靠近Ei。

A.Ec