垂直型GaN肖特基二极管特性的多维度剖析与应用探索(1).docx

垂直型GaN肖特基二极管特性的多维度剖析与应用探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体器件的发展历程中，随着科技的不断进步，对器件性能的要求日益严苛。传统的半导体材料和器件结构在面对现代电子技术的高速发展时，逐渐显露出其局限性。而宽禁带半导体材料的出现，为半导体器件的性能提升带来了新的契机，其中氮化镓（GaN）凭借其卓越的物理特性，成为了研究的热点。

GaN材料拥有宽带隙，其禁带宽度达到3.4eV，相比传统的硅材料（1.12eV），具有更高的击穿电场强度，理论值可达3.3MV/cm。这一特性使得GaN器件能够承受更高的电压，在高压应用领域具有显著优势。其高导热系数约为1