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河北2025自考[大功率半导体科学]半导体制造技术易错题专练

一、单选题（共5题，每题2分）

说明：下列每题只有一个正确选项。

1.在河北某半导体制造企业中，用于晶圆表面抛光的主要工艺是（）。

A.等离子刻蚀

B.化学机械抛光（CMP）

C.离子注入

D.光刻胶涂覆

2.河北某功率器件生产线发现器件击穿问题，初步怀疑是氧原子污染导致，此时应优先检查（）。

A.热氧化工艺参数

B.外延生长温度

C.腐蚀液浓度

D.晶圆搬运环境

3.大功率MOSFET的栅极氧化层厚度通常控制在10-20?，其主要目的是（）。

A.提高器件耐压能力

B.减小栅极漏电流

C.增强载流子迁移率

D.降低栅极电容

4.河北某企业采用PECVD沉积氮化硅（Si?N?）钝化层，发现器件击穿率上升，可能的原因是（）。

A.沉积温度过高

B.氮气流量不足

C.氧化硅残留

D.晶圆表面粗糙度大

5.在河北某功率器件制造中，用于去除晶圆表面金属污染的工艺是（）。

A.热清洗

B.湿法刻蚀

C.等离子清洗

D.超声波清洗

二、多选题（共5题，每题3分）

说明：下列每题有多个正确选项。

6.河北某功率器件厂在热氧化工艺中，影响氧化层质量的主要因素包括（）。

A.氧气流量

B.水平炉温度均匀性

C.晶圆表面缺陷

D.氧化时间

E.炉管材质

7.在河北某功率器件制造中，可能导致器件短路的原因有（）。

A.钝化层针孔

B.掺杂浓度不均

C.晶圆边缘损伤

D.外延层缺陷

E.栅极金属互联断裂

8.河北某企业采用干法刻蚀工艺制备深沟槽，发现刻蚀速率不稳定，可能的原因包括（）。

A.刻蚀气体配比错误

B.晶圆温度过高

C.刻蚀腔体污染

D.RF功率不足

E.晶圆背衬压力过大

9.在河北某功率器件制造中，用于改善器件散热性能的工艺措施有（）。

A.增加散热片厚度

B.优化金属互联结构

C.降低芯片结温

D.使用高导热材料

E.减小器件沟道宽度

10.河北某企业发现功率器件在高温环境下性能下降，可能的原因包括（）。

A.老化效应

B.封装材料热膨胀系数不匹配

C.氧化层破裂

D.金属互联蠕变

E.外延层位错

三、判断题（共5题，每题2分）

说明：下列每题判断正误。

11.河北某半导体厂在功率器件制造中，提高外延层掺杂浓度会直接降低器件导通电阻。（×）

12.化学机械抛光（CMP）过程中，抛光液pH值过高会导致表面过度腐蚀。（√）

13.河北某企业采用ICP刻蚀工艺制备深沟槽时，提高RF功率可以提高刻蚀选择性。（×）

14.功率器件的栅极氧化层厚度与击穿电压成正比。（√）

15.河北某功率器件厂发现器件漏电流过大，可能是封装键合线接触不良。（√）

四、简答题（共4题，每题5分）

说明：根据问题要求简述要点。

16.简述河北某功率器件厂在化学机械抛光（CMP）中，影响抛光均匀性的主要因素。

答要点：

-砂轮旋转速度与晶圆转速匹配度；

-抛光液流量与温度控制；

-晶圆边缘保护措施；

-砂轮磨损程度。

17.河北某企业发现功率器件在高压工作时易击穿，简述可能的原因及排查方法。

答要点：

可能原因：

-外延层位错；

-钝化层针孔；

-栅极氧化层破裂。

排查方法：

-扫描电镜（SEM）检查表面缺陷；

-高温反偏测试（HBV）；

-X射线衍射（XRD）检测外延质量。

18.简述河北某功率器件厂在PECVD沉积氮化硅（Si?N?）时，如何控制沉积厚度均匀性。

答要点：

-优化反应腔体温度分布；

-调整气体流量与压力；

-使用多晶圆旋转平台；

-定期清洁反应腔体。

19.简述河北某企业如何通过工艺优化提高功率器件的散热性能。

答要点：

-优化金属互联材料（如铜合金）；

-增加散热片面积与厚度；

-采用倒装芯片封装；

-降低封装材料CTE失配。

五、论述题（共2题，每题10分）

说明：结合河北半导体产业发展特点，深入分析问题。

20.结合河北某功率器件厂的实际生产情况，论述化学机械抛光（CMP）工艺中的常见问题及解决方案。

答要点：

-问题：

-边缘腐蚀严重；

-表面颗粒污染；

-厚度控制精度低。

-解决方案：

-优化抛光垫材质与转速；

-使用边缘保护环；

-改进抛光液配方；

-引入在线监测系统（如IR传感器）。

21.结合河北半导体产业对大功率器件的需求，论述外延生长技术在功率器件制造中的重要性及优化方向。

答要点：

-重要性：

-决定器件耐压能力与导通电阻；

-影响器件长期可靠性。

-优化方向：

-提高外延层均匀性与缺陷密度；

-采用MBE或MOCVD技术提升