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四川2025自考[大功率半导体科学]半导体制造技术高频题(考点)

一、单选题（每题2分，共20题）

1.在硅晶圆的抛光过程中，化学机械抛光（CMP）主要使用的浆料成分不包括以下哪一项？

A.碳化硅纳米颗粒

B.二氧化硅纳米颗粒

C.磷酸

D.氢氧化钠

2.等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术中，常用的氮化硅（Si?N?）沉积工艺，其工作气压通常在以下哪个范围？

A.1-10Torr

B.10-100Torr

C.100-1000Torr

D.1-1000Torr

3.在半导体器件的金属化工艺中，常用的铝（Al）或铜（Cu）电镀过程中，为了提高电镀速率和均匀性，通常会添加哪种物质？

A.氢氧化钠

B.硫氰酸钾

C.硫酸铜

D.柠檬酸

4.光刻技术中，常用的光刻胶类型包括正胶和负胶，其中正胶在曝光后，未曝光区域会发生什么变化？

A.溶解

B.不溶解

C.氧化

D.还原

5.半导体器件的离子注入工艺中，常用的加速离子不包括以下哪种？

A.硼离子（B?）

B.硅离子（Si?）

C.氮离子（N?）

D.氢离子（H?）

6.在薄膜沉积过程中，原子层沉积（ALD）技术的最大优势是？

A.沉积速率快

B.工作温度高

C.沉积均匀性差

D.工作温度低且均匀性高

7.半导体器件的刻蚀工艺中，干法刻蚀常用的气体不包括以下哪种？

A.氟化氢（HF）

B.氮氧化物（NO）

C.硫化氢（H?S）

D.氯化氢（HCl）

8.在晶圆的清洗工艺中，常用的SC1（标准清洗1）溶液主要成分是？

A.氢氟酸（HF）

B.硫酸（H?SO?）+过氧化氢（H?O?）

C.氢氧化钾（KOH）

D.氯化铵（NH?Cl）

9.半导体器件的封装工艺中，常用的底部填充胶（Underfill）材料的作用是？

A.提高器件的导电性

B.防止焊点热疲劳

C.增加器件的电容

D.减少器件的电阻

10.在半导体制造过程中，常用的检测技术中，光学检测（AOI）主要用于检测以下哪种缺陷？

A.金属层厚度不均

B.晶圆表面颗粒

C.硅片电阻率

D.离子注入剂量

二、多选题（每题3分，共10题）

1.半导体器件的薄膜沉积工艺中，常用的物理气相沉积（PVD）技术包括哪些？

A.电子束蒸发（EBE）

B.磁控溅射（MIS）

C.化学气相沉积（CVD）

D.原子层沉积（ALD）

2.在晶圆的刻蚀工艺中，湿法刻蚀常用的酸溶液包括哪些？

A.硫酸（H?SO?）

B.氢氟酸（HF）

C.硝酸（HNO?）

D.氯化氢（HCl）

3.半导体器件的离子注入工艺中，常用的掩模版材料包括哪些？

A.光刻胶（Photoresist）

B.多晶硅（Polysilicon）

C.氮化硅（Si?N?）

D.氧化硅（SiO?）

4.在薄膜沉积过程中，原子层沉积（ALD）技术的优势包括哪些？

A.沉积速率快

B.工作温度低且均匀性高

C.沉积厚度精确可控

D.适用于复杂结构沉积

5.半导体器件的封装工艺中，常用的粘合剂材料包括哪些？

A.聚酰亚胺（PI）

B.环氧树脂（Epoxy）

C.腈-丁二烯橡胶（NBR）

D.硅酮胶（Silicone）

6.在晶圆的清洗工艺中，常用的SPM（自组装清洗）溶液主要成分包括哪些？

A.氢氧化钾（KOH）

B.过氧化氢（H?O?）

C.硫酸（H?SO?）

D.氯化铵（NH?Cl）

7.半导体器件的金属化工艺中，常用的电镀添加剂包括哪些？

A.柠檬酸

B.硫氰酸钾

C.硫酸铜

D.氢氧化钠

8.在光刻技术中，常用的光源类型包括哪些？

A.紫外线（UV）

B.极紫外（EUV）

C.红外（IR）

D.X射线（X-ray）

9.半导体器件的离子注入工艺中，常用的能量和剂量控制方法包括哪些？

A.加速电压调节

B.注入时间控制

C.离子源流量调节

D.掩模版旋转

10.在半导体制造过程中，常用的检测技术包括哪些？

A.光学检测（AOI）

B.扫描电子显微镜（SEM）

C.拉曼光谱（RamanSpectroscopy）

D.原子力显微镜（AFM）

三、判断题（每题2分，共10题）

1.化学机械抛光（CMP）工艺中，抛光浆料的pH值通常控制在酸性范围，以防止硅片表面氧化。（√/×）

2.在光刻技术中，正胶在曝光后，未曝光区域会溶解，而负胶会溶解。（×/√）

3.等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术中，氮化硅（Si?N?）的沉积速率通常比二氧化硅（SiO?）快。（√/×）

4.半导体器件的金属化工艺中，铜（Cu）电镀通常比铝（Al）电镀的导