TFT介电层厚度与性能关系研究.pdfVIP

介电层对TFT性质的影响研究

第14小组

施展

问题2:TFT介电层厚度与介电常数会影响TFT哪些性能?绝缘材料High

K和LowK的优劣势？SiO2作多晶硅栅绝缘层优于氮化硅的？

一、综述

首先，关于TFT的介电层厚度，在整个微电子行业，随着工艺的进步

带来的CMOS器件特征尺寸不断缩小，绝缘栅介质层也按照等比例缩小的

原则变得越来越薄。一个32nm工艺最小尺寸晶体管的栅氧厚度只有4个

硅原子厚。从英特尔的4004到近几年推出的Corei7和Atom，器件

的特征尺寸已经减小了两个数量级。

TFT-LCD从工艺上也相同的问题。为了满足更高的分辨率和3D

显示等新技术对于更高像素密度的要求，TFT-LCD的制造商势必要想尽办

法在和原来相同的面积大小之内集成几倍数量的TFT；另一方面，在不使

用透明导电材料（如ITO）的情形之下，TFT的尺寸越小，像素点的开口

率才能越大，从而增加光源发光的利用效率，改善功耗、对比度、亮度等

性能。由此不可避免地带来了TFT尺寸的缩小和栅氧厚度的削薄。由此而

产生的栅漏电流增大和可靠性降低的问题将越来越严重。

StudyontheinfluenceofdielectriclayeronTFT

properties

Group14

ShiZhanLiLuXiaoKanglinHeAi

Question2:WhatpropertiesofTFTdielectriclayerthicknessanddielectricconstantwill

affectTFT?WhataretheadvantagesanddisadvantagesofinsulatingmaterialsHighKand

LowK?WhyisSiO2terthansiliconnitrideasapolysiliconeinsulatinglayer?

一、综述

Firstofall,regardingthethicknessofthedielectriclayerofTFT,intheentire

microelectronicsindustry,withtheadvancementoftechnology,thecharacteristicsize

ofCMOSdevicescontinuestoshrink,andtheinsulatingedielectriclayeralso

becomesthinnerandthinnerinaccordancewiththeprincipleofequalreduction.The

eoxidethicknessofaminimumsizetransistorinthe32nmprocessisonly4silicon

atomsthick.FromIntels4004totheCorei7andAtomlaunchedinrecentyears,the

featuresizeofthedevicehasbeenreducedbytwoordersofmagnitude.

TFT-LCDalsofacesthesameproblemintermsofprocess.Inordertomeetthe

requirementsforhigherpixeldensityofnewtechnologiessuchash