发光二极管工厂设计规范.docxVIP

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1总则

1.0.1为规范发光二极管工厂设计，做到安全适用、确保生产、经济合理、技术先进、环境保护，制定本规范。

1.0.2本规范适用于新建、扩建和改建的发光二极管工厂的工程设计。

1.0.3发光二极管工厂设计除应执行本规范外，尚应符合国家现行有关标准的规定。

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2术语

2.0.1发光二极管lightemittingdiode(LED)

一种能够将电能转化为可见光的固态半导体器件。

2.0.2外延epitaxy

在单晶衬底(基片)上生长一层或多层有一定要求的、与衬底晶向相同或相似的单晶层的生长技术。

2.0.3金属有机化合物化学气相沉积metal-organicchemicalvapordeposition(MOCVD)

以Ⅲ族、Ⅱ族元素的金属有机化合物和V、VI族元素的氢化物等作为晶体生长原材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-VI族化合物半导体及其多元薄层单晶材料的工艺过程。

2.0.4空间管理spacemanagement

为有效利用空间、缩短工作流程，对大到整个厂区的建筑物布局、地下管线规划，小到一栋建筑物内部各个专业间的配置协调而进行的设计。

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3基本规定

3.0.1发光二极管工厂设计应满足发光二极管产品生产工艺要求，并应根据具体情况为今后生产发展或生产工艺改进的需要预留条件。

3.0.2发光二极管工厂设计应根据生产工艺的特点，采用节能环保的新技术、新设备、新材料。

3.0.3发光二极管工厂设计应为施工安装、调试检测和安全运行、维护管理创造条件。

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4工艺

4.1一般规定

4.1.1发光二极管工厂工艺设计应符合下列规定：

1采用效率高的生产工艺；

2提高工艺流程的合理性；

3采用经济、适用的工艺参数；

4具有适度的灵活性和适应性。

4.1.2工艺设计应满足工艺生产的要求，并为产品的规模化生产、升级改造预留下列条件：

1工艺设备数量增加、工艺设备占地面积增加所需要的面积条件；

2工艺设备变更、工艺设备高度增加所需要的空间条件；

3工艺设备变更、工艺设备数量增加所需要增加的动力条件。

4.1.3生产线的产能设计应符合经济规模要求；当生产线需分期实施时，工艺设计中应预留动力条件。

4.1.4工艺设计应明确生产环境和动力供应要求，并应满足生产工艺和设备正常运行的要求。主要工序生产环境要求可按照附录A执行。

4.1.5工艺设计应明确工艺生产动力品质要求。发光二极管生产工艺动力品质要求可按照附录B执行。

4.1.6主要生产车间的生产设备宜连续运转，其他辅助生产车间可根据其具体特点灵活配套。

4.2基本工序与生产协作

4.2.1生产的基本工序应根据产品的生产工艺确定。生产工序

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可根据附录C所列的工艺流程确定。

4.2.2生产的主要工序宜完整，辅助生产工序可通过外协方式完成。

4.2.3在工艺设计中，根据外协的具体内容及要求设置满足外部协作需要的相关配套设施。

4.2.4工艺设计应满足发光二极管工厂的生产、辅助生产、管理和运营设施、劳动安全、职业卫生和环境保护等管理、检测、教育和培训设施的设计要求。

4.3工艺区划

4.3.1生产厂房内的工艺功能区应依据生产的工艺流程，按照生产的基本工序进行划分，相同的工序宜集中布置。典型的工艺流程可按照附录C设置。

4.3.2生产厂房内的工艺区应分别设置人员出入口、物料出入口。

4.3.3工艺平面布置应设置设备搬入口和设备搬入通道。

4.3.4生产区的参观设施，应与生产环境相隔离。

4.4设备布置

4.4.1振动敏感设备宜远离振动源布置。

4.4.2生产设备宜根据工艺流程集中布置，并考虑设备搬运、维修空间。

4.4.3金属有机化合物化学气相沉积设备及其辅助设备宜集中布置。

4.4.4气瓶柜、尾气处理设备、气体纯化柜等金属有机化学气相沉积设备的辅助设备的布置方式，应符合现行国家标准《建筑设计防火规范》GB50016和《特种气体系统工程技术规范》GB50646的有关规定。

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5总图

5.1厂址选择

5.1.1发光二极管工厂的厂址选择应按建设规模、原材料供应、供电、供水、供气、工程地质和企业协作条件、场地现有设施、环境保护等因素进行技术经济比较后确定。

5.1.2厂址选择应符合下列规