第1章半导体器件三极管.pptVIP

第1页，共30页，星期日，2025年，2月5日1.3.1三极管的结构与符号两种类型:NPN型、PNP型。箭头代表发射极电流的实际方向第2页，共30页，星期日，2025年，2月5日1.3.2三极管的电流分配与控制适当的直流偏置电压在放大工作状态：发射结加正向电压，集电结加反向电压。NPNRCRbVCCVBB+_IBICIEVo第3页，共30页，星期日，2025年，2月5日1内部载流子运动形成的电流在发射结正偏，集电结反偏条件下，三极管中载流子的运动：VBBVCC第4页，共30页，星期日，2025年，2月5日(1)内部电流分配关系对于集电极电流IC和发射极电流IE之间的关系可以用系数来说明，定义:：共基极直流电流放大系数。它表示最后达到集电极的电子电流ICN与总发射极电流IE的比值。一般为0.98~0.999。第5页，共30页，星期日，2025年，2月5日(1)内部电流分配关系引入后，三极管的电流分配关系为：当很小的时候，则可得如下近似式：第6页，共30页，星期日，2025年，2月5日（2）电流控制作用*若以控制，则**若以控制，得即第7页，共30页，星期日，2025年，2月5日(3)三种组态共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示;共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示；第8页，共30页，星期日，2025年，2月5日1.3.3三极管的伏安特性曲线输入特性曲线——iB=f(vBE)?vCE=const输出特性曲线——iC=f(vCE)?iB=const共发射极接法三极管的特性曲线：RCRbVccBBV+_VoiBiCiE+_vBE+_vCEbce第9页，共30页，星期日，2025年，2月5日1.输入特性曲线第10页，共30页，星期日，2025年，2月5日2.输出特性曲线放大区饱和区截止区0uA100uA80uA60uA40uA20uAICBOvCEic64224681012VCE=VBE0(1)放大区JE正偏，JC反偏。截止区：对应IB?0的区域，JC和JE都反偏，IB=IC=0第11页，共30页，星期日，2025年，2月5日输出特性曲线(3)饱和区 JC和JE都正偏，VCES约等于0.3V，IC?IB饱和时c、e间电压记为VCES，深度饱和时VCES约等于0.3V。饱和时的三极管c、e间相当于一个压控电阻。放大区饱和区截止区0uA100uA80uA60uA40uA20uAICBOvCEic64224681012VCE=VBE0第12页，共30页，星期日，2025年，2月5日输出特性曲线总结饱和区——iC受vCE显著控制的区域，vCE的数值较小一般vCE＜0.7V(硅管)。发射结正偏，集电结正偏截止区——iC接近零的区域，iB=0的曲线的下方。发射结反偏，集电结反偏放大区——发射结正偏，集电结反偏，电压大于0.7V左右(硅管)。第13页，共30页，星期日，2025年，2月5日三极管工作情况总结三极管处于放大状态时，三个极上的电流关系： 电位关系：第14页，共30页，星期日，2025年，2月5日1.3.4半导体三极管的主要参数半导体三极管的参数分为两大类:性能参数、极限参数1.电流放大系数①直流电流放大系数a.共基极直流电流放大系数第15页，共30页，星期日，2025年，2月5日三极管的直流参数b.共射极直流电流放大系数：=（IC－ICEO）/IB≈IC/IB?vCE=const第16页，共30页，星期日，20