第六章光电接收器件.pptVIP

一般工作状态下，将负载电阻接在光电（敏）二极管上，并加上反向电压后使用，光照射后的光电流将通过负载电阻以信号的形式被检测出来。3.光电二极管的性能参数第29页，共73页，星期日，2025年，2月5日2)灵敏度为了提高光电二极管的灵敏度，需要照射的光子尽可能多地激发产生电子-空穴对。因此必须增大耗尽层的宽度和少数载流子的扩散长度。3)响应速度1)光电转换效率提高光电转换效率的方法还有：采用波长较长的光照射，（因波长较长的光透入性能比较好，可达到体内较深的地方）；另外，还可采用少数载流子寿命比较长的材料（可降低体内载流子复合速度）第30页，共73页，星期日，2025年，2月5日4主要应用通常用来制造光学仪器。与发光二极管（LED）组合可组成光电耦合器，可用于传感器电路中，可测量长度、位置、数量等，以及微弱光信号的检测等。常用的光电二极管的材料是Si和Ge。但它们的主要缺点是在常温下，暗电流比较大。还有具有PN结的InSb和InAs等。5光晶体管的作用光晶体管的作用与是光电二极管一样的，只是两者性能上稍微有些不同，有些情况下可以互换使用。第31页，共73页，星期日，2025年，2月5日1）工作原理与光电二极管相类似，只是它还利用少数载流子扩散的晶体管放大作用来提高其增益。但反过来就影响了其响应速度。光晶体管的结构与普通结型晶体管相同。见书P44图6.5使用在发射极-集电极之间加上与结型晶体管相同方向的偏压，即发射极正向偏压，集电极加反向偏压。基极浮空，基区作为光的接收部位，可增大其面积，以提高效率。第32页，共73页，星期日，2025年，2月5日6.3高速光电二极管1）优点：响应速度快、灵敏度高。2）分类：pin光电二极管和雪崩二极管（APD）。高速光电二极管由于具有响应速度非常快这样的优点，所以常用在高频响应的光应用领域中。注意：高速光电二极管的原理与普通的光电二极管原理是一样的。6.3.1pin管的结构和作用其结构如书p45上的图6.6。第33页，共73页，星期日，2025年，2月5日在pn结的耗尽层区域内具有本征区域（i层），i层载流子浓度非常低，是一个高阻层。高阻层起的作用：在pn结上加上反向偏压后，它将成为具有较强内部电场的区域，因此，通过加入这个高阻层i层，扩大了携带电信号的光生载流子的产生空间；降低了影响频率响应的pn结的电容量。结果就是提高了灵敏度和响应速度。形成光电流由两部分组成：1）光照下，在i区产生电子-空穴对，电子和空穴在强电场下分离，电子向n区移动第34页，共73页，星期日，2025年，2月5日式中，W为i层的厚度；为载流子的漂移速度。高速光电二极管的响应速度是由光生载流子在i层漂移区内的渡越时间决定的。响应的截止频率（响应速度的上限）与I层厚度的关系如下式：而空穴向p区移动，并以光电流形式向外流出，2）还有一部分光电流是由于光进入到了n区里，产生了空穴，空穴进入i层内，同样也产生漂移。第35页，共73页，星期日，2025年，2月5日第36页，共73页，星期日，2025年，2月5日1）制作P-N结的材料，可以是同一种半导体（同质结），也可以是由两种不同的半导体材料或金属与半导体的结合（异质结）。“结合”指一个单晶体内部根据杂质的种类和含量的不同而形成的接触区域，严格来说是指其中的过渡区。???2）结有多种：P-N结、P-I结、N-I结、P+-P结、N+-N结等。I型指本征型，P+、N+分别指相对于p、n型半导体受主、施主浓度更大些。补充一点：第37页，共73页，星期日，2025年，2月5日PINPIN的结构：作用有三个：1增加光子在其内的吸收2耗尽层具有很高的电场强度3耗尽层宽度增加，可使结电容减小，利于高频响应。PIN结构第38页，共73页，星期日，2025年，2月5日光电流的产生第39页，共73页，星期日，2025年，2月5日6.3.2雪崩二极管它是利用pn结当加的反向偏压接近击穿时，发生载流子碰撞雪崩电离，以获得光生载流子