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第38卷第1期机电产品开发与创新Vol.38,No.1

2025年1月DevelopmentInnovationofMachineryElectricalProductsJan.,2025

文章编号：1002-6673（2025）01-110-03

图腾柱式IGBT栅极驱动电路设计

吴田

（广东美的暖通设备有限公司，广东佛山528311)

摘要：由晶体管BJT构成的图腾柱式栅极驱动电路在单相交错式PFC中被大量应用，本文分析了IGBT栅

极特性和栅极驱动电路结构，分别推导了栅极最大电流、BJT基极电流以及驱动功率的计算方法，全面地得

出了IGBT栅极驱动电路关键器件的参数选型和注意事项。

关键词：IGBT；栅极驱动电路；图腾柱式；栅极最大峰值电流；驱动功率

中图分类号：TP39文献标识码：Adoi:10.3969/j.issn.1002-6673.2025.01.032

DesignofTotemColumnIGBTGateDriverCircuit

WUTian

(GDMideaHeatingVentilatingEquipmentCo.,Ltd.,FoshanGuangdong528311,China)

Abstract:ThetotempolegatedrivecircuitcomposedoftransistorBJTiswidelyusedinsingle-phaseinterleavedPFC.Thisarticleanalyzes

thegatecharacteristicsandgatedrivecircuitstructureofIGBT,derivesthecalculationmethodsformaximumgatecurrent、BJTbasecurrent,

anddrivepower,andcomprehensivelyobtainstheparameterselectionandprecautionsforkeycomponentsofIGBTgatedrivecircuit.

Keywords:IGBT;Gatedrivecircuit;Totempole;Maximumgatepeakcurrent;Gatedrivepower

型晶体管，是由BJT(双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场

0引言

效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，

单相交错式PFC具有输人纹波电流小、功率因数兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方

高、成本低等优点，在家用中央空调等单相供电的大功率面的优点。由于结构设计特点,IGBT内部存在许多寄生

(数千瓦设备上有较为广泛的应用。在电路拓扑结构电容,如图2所示：CcE一栅极与发射极之间的电容,Ccc—

上,单相交错式PFC电路由两路或三路输入和输出并联栅极和集电极之间的电容,CcE一集电极与发射极之间的

的独立BoostPFC电路构成[2,工作时两路或三路并联支电容。其中,输人电容Cies=Ccc+CcE,反向传输电容(也叫密

路以180°或120°的相移交替工作，从而达到以较小的功

勒电容Cre=Ccc,输出电容Cal=Ccc+CcBo

率器件实现较大功率等级输出的效果。这种电路采用的IGBT栅极对外