多晶硅制取工复测知识考核试卷含答案.docxVIP

多晶硅制取工复测知识考核试卷含答案

PAGE

PAGE1

多晶硅制取工复测知识考核试卷含答案

考生姓名：答题日期：判卷人：得分：

题型

单项选择题

多选题

填空题

判断题

主观题

案例题

得分

本次考核旨在检验学员对多晶硅制取工艺的掌握程度，包括原材料制备、化学反应过程、设备操作及安全知识等，确保学员能够将所学知识应用于实际生产中。

一、单项选择题（本题共30小题，每小题0.5分，共15分，在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的）

1.多晶硅的生产过程中，用于还原硅粉的还原剂是（）。

A.氢气

B.碳

C.硅烷

D.碳化硅

2.制备多晶硅的主要原料是（）。

A.石英砂

B.石灰石

C.焦炭

D.硅石

3.多晶硅生产中，用于提纯硅的化学方法是（）。

A.溶剂萃取

B.离子交换

C.气相沉积

D.液相外延

4.在多晶硅生产中，用于去除杂质的方法是（）。

A.真空蒸馏

B.离子交换

C.碱洗

D.水洗

5.多晶硅生产过程中，用于制备硅烷的方法是（）。

A.硅与氢气反应

B.硅与氯气反应

C.硅与氟化氢反应

D.硅与碳反应

6.制备多晶硅时，常用的还原温度范围是（）。

A.500-700℃

B.700-900℃

C.900-1100℃

D.1100-1300℃

7.多晶硅生产中，用于检测硅中杂质含量的仪器是（）。

A.原子吸收光谱仪

B.原子荧光光谱仪

C.紫外-可见分光光度计

D.X射线荧光光谱仪

8.在多晶硅生产中，用于制备多晶硅锭的方法是（）。

A.熔融拉晶

B.气相外延

C.液相外延

D.晶种生长

9.多晶硅生产过程中，用于防止硅锭氧化的保护气体是（）。

A.氢气

B.氩气

C.氮气

D.氧气

10.制备多晶硅时，用于去除硅烷中杂质的步骤是（）。

A.冷凝

B.洗涤

C.真空蒸馏

D.离子交换

11.多晶硅生产中，用于检测硅锭外观质量的仪器是（）。

A.显微镜

B.红外线测温仪

C.射线探伤仪

D.超声波探伤仪

12.在多晶硅生产中，用于制备硅烷的方法是（）。

A.硅与氢气反应

B.硅与氯气反应

C.硅与氟化氢反应

D.硅与碳反应

13.多晶硅生产过程中，用于还原硅粉的还原剂是（）。

A.氢气

B.碳

C.硅烷

D.碳化硅

14.制备多晶硅的主要原料是（）。

A.石英砂

B.石灰石

C.焦炭

D.硅石

15.多晶硅生产中，用于提纯硅的化学方法是（）。

A.溶剂萃取

B.离子交换

C.气相沉积

D.液相外延

16.在多晶硅生产中，用于去除杂质的方法是（）。

A.真空蒸馏

B.离子交换

C.碱洗

D.水洗

17.多晶硅生产过程中，用于制备硅烷的方法是（）。

A.硅与氢气反应

B.硅与氯气反应

C.硅与氟化氢反应

D.硅与碳反应

18.制备多晶硅时，常用的还原温度范围是（）。

A.500-700℃

B.700-900℃

C.900-1100℃

D.1100-1300℃

19.多晶硅生产中，用于检测硅中杂质含量的仪器是（）。

A.原子吸收光谱仪

B.原子荧光光谱仪

C.紫外-可见分光光度计

D.X射线荧光光谱仪

20.在多晶硅生产中，用于制备多晶硅锭的方法是（）。

A.熔融拉晶

B.气相外延

C.液相外延

D.晶种生长

21.多晶硅生产过程中，用于防止硅锭氧化的保护气体是（）。

A.氢气

B.氩气

C.氮气

D.氧气

22.制备多晶硅时，用于去除硅烷中杂质的步骤是（）。

A.冷凝

B.洗涤

C.真空蒸馏

D.离子交换

23.多晶硅生产中，用于检测硅锭外观质量的仪器是（）。

A.显微镜

B.红外线测温仪

C.射线探伤仪

D.超声波探伤仪

24.在多晶硅生产中，用于制备硅烷的方法是（）。

A.硅与氢气反应

B.硅与氯气反应

C.硅与氟化氢反应

D.硅与碳反应

25.多晶硅生产过程中，用于还原硅粉的还原剂是（）。

A.氢气

B.碳

C.硅烷

D.碳化硅

26.制备多晶硅的主要原料是（）。

A.石英砂

B.石灰石

C.焦炭

D.硅石

27.多晶硅生产中，用于提纯硅的化学方法是（）。

A.溶剂萃取

B.离子交换

C.气相沉积

D.液相外延

28.在多晶硅生产中，用于去除杂质的方法是（）。

A.真空