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ZnO纳米阵列可控制备：方法、影响因素与应用探索.docxVIP

ZnO纳米阵列可控制备：方法、影响因素与应用探索.docx

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    ZnO纳米阵列可控制备：方法、影响因素与应用探索

    一、引言

    1.1ZnO纳米阵列研究背景与意义

    ZnO作为一种重要的宽禁带半导体材料，室温下禁带宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV，具有优良的光电性能、化学稳定性和热稳定性等特点，在光电器件、传感器、催化、能源等众多领域展现出巨大的应用潜力。

    在光电器件领域，ZnO纳米阵列可用于制造紫外激光器、发光二极管（LED）、光电探测器等。以紫外激光器为例，ZnO纳米线形成的天然激光腔，可实现室温下的激光发射，其线宽小于0.3nm、波长为385nm，有望应用于高密度光存储、光通信等领域，相比传统的GaN蓝光激光器，Zn

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