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2025年全国硕士研究生招生考试
国防科技大学自命题科目考试大纲
科目代码：F0307科目名称：集成电路设计与工艺
一、考试要求
集成电路设计与工艺课程主要考查学生对常用半导体材料
及集成电路工艺的理解与掌握；对集成电路制造中的光刻技术、
半导体器件工作原理、特性分析方法的理解与掌握；对模拟与数
字集成电路设计中基本电路单元、关键技术原理的理解和掌握，
以及运用基本电路理论，结合集成电路分析方法，分析解决集成
电路问题的能力。
二、考试内容
1．集成电路工艺
a.常用半导体材料
b.集成电路主要制作工艺原理与过程
c.CMOS器件制作工艺原理与过程
d.集成电路设计流程与生产渠道
2．半导体器件
a.MOS管工作区与对应电压偏置条件
b.MOS管的I-V特性：阈值电压、漏电流公式、MOS管跨导
c.MOS管二级效应
d.寄生电容模型与计算方法
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e.小信号模型分析方法
3．模拟集成电路
a.单级放大电路：共源级，源极跟随器、共栅极、共源共
栅级电路组成与原理
b.差动放大电路：共模、差模增益，失配影响，共源共栅
差分放大电路增益、输出阻抗分析
c.电流镜：基本电流镜，共源共栅电流镜原理，五管OTA
的增益、输出摆幅、输出阻抗、镜像极点分析
d.放大器：单级放大器与二级放大器设计方法，转换速率
概念
e.频率响应：密勒效应，结点与极点关系，共源放大电路
极点，传输函数分析，波特图绘制与分析。
f.稳定性与频率补偿：振荡条件，相位裕度概念，频率补
偿原则，密勒补偿与极点分裂概念
g.带隙基准：正温度系数、负温度系数概念，电流/电压带
隙基准电路结构，PTAT电流概念
4．数字集成电路
a.CMOS反相器：反相器阈值、输出电平、功耗来源与计算
方法、传播延时、反相器链驱动大负载设计方法
b.组合逻辑：互补CMOS逻辑，有比逻辑，传输管逻辑，大
扇入设计技术，功耗计算，延时与信号组合相关，降低开关活动
性技术
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c.时序逻辑：触发器和锁存器原理，偏差、抖动来源，偏
差和抖动对时序影响，寄存器时序参数，考虑偏差和抖动的时序
约束条件，基于锁存器的流水线原理
d.互连：导线延迟、串扰概念，降低串扰方法
e.加法器：不同类型加法器延时设计方法
f.降功耗方法：设计时间方法，使用时间方法
三、考试形式
考试形式为闭卷、笔试，考试时间为120分钟，满分100分。
题型包括：选择题、填空题、简答题、综合题。
四、参考书目
《集成电路制造技术-原理与工艺》（第3版）第3-9章，田
丽等，电子工业出版社，2023。
《模拟CMOS集成电路设计》（第2版），拉扎维，西安交通
大学出版社，2019。
《数字集成电路：电路、系统与设计》（第2版），拉贝艾等，
电子工业出版社，2017。
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