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氧化锌与二硼化镁薄膜的制备工艺及光电探测性能研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，光电探测技术作为现代信息技术的关键组成部分，广泛应用于通信、医疗、军事、环境监测等众多领域，对推动各领域的进步发挥着不可或缺的作用。而光电探测材料作为光电探测器的核心，其性能的优劣直接决定了光电探测技术的发展水平和应用范围，因此，新型光电探测材料的研究一直是材料科学领域的热点和前沿。

氧化锌（ZnO）作为一种重要的宽带隙Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，具有六方纤锌矿结构，晶格常数a=0.3249nm，c=0.5206nm，室温下禁带宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV，远大于GaN的25meV和ZnSe的22meV。这些优异的特性赋予了ZnO薄膜良好的透明导电性、压电性、光电性、气敏性、压敏性等，使其在表面声波器件、平面光波导、透明电极、紫外光探测器、压电器件、压敏器件、紫外发光器件、气敏传感器等领域展现出广阔的应用前景。在短波区域，ZnO可用于制造紫外发光器件和紫外激光器，对于提高光记录密度及光信息的存取速度起着关键作用，如在高密度光存储技术中，基于ZnO的紫外发光器件能够实现更高密度的数据存储和更快的读写速度。

二硼化镁（MgB?）是一种简单的二元化合物，属六方晶系，具有P6/mmm空间群。自2001年其高温超导特性被发现以来，引起了科学界的广泛关注。除了超导性能外，MgB?薄膜在光电领域也展现出独特的优势，在可见光探测方面具有良好的应用潜力。其特殊的晶体结构和电子特性，使得MgB?薄膜能够对可见光产生有效的光电响应，有望成为新型可见光探测器的关键材料。

尽管氧化锌和二硼化镁薄膜在光电探测领域展现出巨大的应用潜力，但目前的研究仍面临诸多挑战。在制备工艺方面，现有的制备方法难以精确控制薄膜的晶体结构、表面形貌和成分均匀性，导致薄膜质量不稳定，影响其光电性能的一致性和可靠性。在性能研究方面，对两种薄膜在复杂环境下的长期稳定性和可靠性研究较少，限制了它们在实际应用中的推广。对氧化锌和二硼化镁薄膜的光电探测机理研究还不够深入，缺乏系统的理论模型来解释和预测其性能，阻碍了材料性能的进一步优化和提升。

鉴于此，深入研究氧化锌和二硼化镁薄膜的制备工艺及其光电探测性能具有重要的科学意义和实际应用价值。通过优化制备工艺，有望获得高质量、性能稳定的薄膜，为光电探测器的性能提升提供坚实的材料基础。对薄膜光电探测性能的深入研究，有助于揭示其内在的物理机制，为新型光电探测材料的设计和开发提供理论指导，推动光电探测技术向更高灵敏度、更快响应速度、更宽探测波段的方向发展，满足不同领域对高性能光电探测器的迫切需求。

1.2研究目的与创新点

本研究旨在通过对制备工艺的精细调控，成功制备出高质量的氧化锌和二硼化镁薄膜，并深入系统地研究其光电探测性能，揭示其内在的物理机制，为这两种薄膜在光电探测领域的广泛应用提供坚实的理论和技术支持。

在制备工艺上，尝试将多种制备技术相结合，探索全新的制备路径。比如将化学气相沉积法与脉冲激光沉积法相结合，利用化学气相沉积法能够大面积生长薄膜的优势，先在衬底上形成一层初步的薄膜，再通过脉冲激光沉积法对薄膜的表面形貌和晶体结构进行精细调控，从而获得高质量的氧化锌薄膜。这种创新的制备工艺有望精确控制薄膜的晶体结构、表面形貌和成分均匀性，提高薄膜质量的稳定性和一致性。

在性能研究方面，将拓展研究范围，全面考虑多种因素对薄膜光电探测性能的影响。除了传统的研究因素如光照强度、波长对薄膜光电性能的影响外，还将深入研究温度、湿度等环境因素以及薄膜的厚度、掺杂浓度等结构因素对其光电探测性能的影响。通过构建多因素影响模型，系统地分析各种因素之间的相互作用关系，为薄膜性能的优化提供全面的理论依据。

在研究方法上，采用先进的表征技术和理论计算相结合的方式，深入探究薄膜的光电探测机理。利用高分辨率透射电子显微镜、X射线光电子能谱等先进的表征技术，对薄膜的微观结构和电子态进行精确分析，获取薄膜的原子排列、晶体缺陷、元素价态等关键信息。结合第一性原理计算等理论方法，从原子和电子层面深入研究薄膜的光电响应过程，揭示其内在的物理机制，为材料性能的优化提供理论指导。

二、氧化锌薄膜的制备

2.1制备方法概述

氧化锌薄膜的制备方法多种多样，不同的制备方法具有各自独特的原理、工艺特点以及优缺点，适用于不同的应用场景和研究需求。

化学气相沉积法（CVD）是一种借助气态的化学物质在高温、等离子体或紫外光等能源的作用下，于衬底表面发生化学反应，从而沉积形成薄膜的技术。该方法能够实现大面积、高质量的薄膜生长，且可以精确控制薄膜的成分和结构。然而，其设备昂贵，工艺复杂，原材料成本较高，且反