宽禁带半导体材料ZnO与TiO₂：制备、特性及应用的深度探究.docxVIP

宽禁带半导体材料ZnO与TiO?：制备、特性及应用的深度探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技飞速发展的浪潮中，半导体材料作为电子信息产业的核心基础，发挥着举足轻重的作用。从日常使用的电子设备到高端的航空航天、能源领域，半导体材料的身影无处不在，其性能的优劣直接影响着相关技术的发展水平和应用范围。随着科技的不断进步，对半导体材料性能的要求也日益提高，传统的半导体材料逐渐难以满足现代科技发展的需求。宽禁带半导体材料应运而生，因其具有独特的物理性质和优异的性能，成为了半导体领域的研究热点。

宽禁带半导体材料是指禁带宽度大于2.0eV的半导体材料，与传统的硅（Si）、锗（Ge）等窄禁