半导体物理第五章.pptVIP

*/69第五章03与前面的一维情况样品无限厚时的表达式相比，这里多了前面的项。可见，这里扩散的效率比平面情况要高。原因是很明显的，因为在平面情况下，浓度梯度完全依靠载流子进入半导体内的复合;而在球对称情况下，径向运动本身就引起载流子的疏散，造成浓度梯度，增强了扩散的效率。特别是当r0LP时，几何形状所引起的扩散的效果是很显著的，远超过复合所引起的扩散。这是有关探针接触现象中一个很重要的因素。第29页，共69页，星期日，2025年，2月5日*/69第五章03作业P178的4、5、7补充：第30页，共69页，星期日，2025年，2月5日第五章03*/69第五章非平衡载流子5.1非平衡载流子的注入与复合5.2非平衡载流子的寿命5.3准费米能级5.4复合理论5.5陷阱效应5.6载流子的扩散运动5.7载流子的漂移扩散，爱因斯坦关系式5.8连续性方程第31页，共69页，星期日，2025年，2月5日*/69第五章03在外场作用下载流子的运动称作漂移运动，平衡态时非平衡时，同样存在漂移运动，这时载流子的浓度为非平衡载流子的浓度5.7载流子的飘移扩散，爱因斯坦关系第32页，共69页，星期日，2025年，2月5日*/69第五章03如果非平衡载流子浓度不均匀，同时又有外电场，那么就会同时存在扩散运动和漂移运动。这时总的电流为扩散电流和漂移电流的和注意它们的方向第33页，共69页，星期日，2025年，2月5日*/69第五章03此时，空穴的电流密度为：电子的电流密度为：第34页，共69页，星期日，2025年，2月5日*/69第五章03通过对非平衡载流子的漂移运动和扩散运动的讨论，明显看到，迁移率是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量，而扩散系数则反映存在浓度梯度时载流子运动难易程度。爱因斯坦从理论上找到了扩散系数和迁移率之间的定量关系。第35页，共69页，星期日，2025年，2月5日*/69第五章03考虑一块处于热平衡的非均匀掺杂n型半导体，如图5-17所示，无外加电场，设其中施主杂质浓度随x的增大而下降，此时电子和空穴浓度也是x的函数，写成n0(x)和p0(x)。由于浓度梯度的存在，必然引起载流子沿x方向扩散，产生扩散电流。电子和空穴的扩散电流为：第36页，共69页，星期日，2025年，2月5日*/69第五章03因为电离杂质是不能运动的电荷中心，载流子的扩散运动有使载流子均匀分布的趋势，这使半导体内部不再处处保持电中性，因而此时半导体内部由电离杂质和载流子产生静电场这个电场又产生载流子的漂移电流：，第37页，共69页，星期日，2025年，2月5日*/69第五章03在平衡条件下，不存在宏观电流，扩散和漂移达到平衡，此时第38页，共69页，星期日，2025年，2月5日*/69第五章03下图示意地表示了n型半导体中电子的扩散和漂移。＋表示电离施主，●表示电子第39页，共69页，星期日，2025年，2月5日*/69第五章03由(5-113)、(5-115)和(5-117)得到当半导体内部出现电场时，半导体的内部电势也是x的函数，写成V(x),则第40页，共69页，星期日，2025年，2月5日*/69第五章03在考虑电子的能量(n0的表达式中)时，必须计入附加的静电势能[-qV(x)]，因而导带底的能量为[Ec-qV(x)]在非简并情况下，电子的浓度应为求导得到：第41页，共69页，星期日，2025年，2月5日*/69第五章03将(5-120)和(5-122)代入(5-119)得到：对于空穴，同理可以得到第42页，共69页，星期日，2025年，2月5日*/69第五章03式(5-123)和(5-124)称为爱因斯坦关系式。它表明了非简并情况下载流子迁移率和扩散系数之间的关系。虽然爱因斯坦关系式是从平衡载流子推导出来的，但实验证明，这个关系可直接用于非平衡载流子。利用爱因斯坦关系式，由已知的迁移率数据可以得到扩散系数。第43页，共69页，星期日，2025年，2月5日*/69第五章03由式(5-111)和(5-112)，再利用爱因斯坦关系式，可以得到半导体中的总的电流密度为：第44页，共69页，星期日，2025年，2月5日*/69第五章03对于非均匀半导体，平衡载流子浓度也随x变化，扩散电流应由载流子的总浓度梯度所决定此时，(5-125)式可以写成：这就是半导体中同时存在扩散运动和漂移运动时的电流