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组成放大电路的基本原则必须保证晶体管工作在放大状态（正偏，反偏），信号能顺畅地传输。用共射放大电路为例加以说明：第30页，共52页，星期日，2025年，2月5日=0时，电路变为直流通路—反映直流工作情况（也称静态）—求放大器的静态工作点放大器直流通路第31页，共52页，星期日，2025年，2月5日交流通路—如何画交流通路？直流电源短路，耦合电容短路，其它元器件不变。其中第32页，共52页，星期日，2025年，2月5日放大电路分析近似估算法—常用图解法—不常用例放大电路如图，令晶体管试画出直流通路，求出静态工作点；画出交流通路，说明电路是何种组态的放大电路。静态动态静态动态第33页，共52页，星期日，2025年，2月5日近似估算法⑴静态分析画直流通路求解直流电路中的电压和电流第34页，共52页，星期日，2025年，2月5日戴维南定律等效法第35页，共52页，星期日，2025年，2月5日近似估算法两种方法之间的误差在工程上是完全允许的，所以电子技术上常用估算法处理。第36页，共52页，星期日，2025年，2月5日图解法:令已知晶体管的输入和输出特性，而未知。戴维南等效后输入回路负载方程将它作在输入特性曲线上，决定输入Q点。求得：输出回路负载方程第37页，共52页，星期日，2025年，2月5日FundamentalofElectronicTechnologyCEEZJU电子器件与电子电路基础第1页，共52页，星期日，2025年，2月5日半导体材料本征半导体N型半导体P型半导体PN结掺入五价元素掺入三价元素半导体器件基础第2页，共52页，星期日，2025年，2月5日半导体材料SiGe高度提纯后成为本征半导体本征半导体共价键结构和本征热激发电子—空穴对示意图第3页，共52页，星期日，2025年，2月5日本征半导体N型半导体P型半导体掺入五价元素P（磷）掺入三价元素B(硼）第4页，共52页，星期日，2025年，2月5日PN结加正向电压（PN结正偏）PN结正偏后→内电势降低→有利多子扩散→载流子从电源获得补充→产生较大正向电流→PN结导电P型和N型半导体结合在一起后如何形成PN结？第5页，共52页，星期日，2025年，2月5日PN结加反向电压（PN结反偏）PN结的单向导电性：正偏导电，反偏截止（不导电）。内外电场方向相同，空间电荷区变得更加宽，多子根本无法扩散，只有少子在电场力作用下的产生漂移运动，PN结流过极小的电流，PN结不导电。第6页，共52页，星期日，2025年，2月5日PN结特性特性曲线数学模型主要特性单向导电特性第7页，共52页，星期日，2025年，2月5日半导体二极管电路大信号模型理想开关模型恒定压降模型第8页，共52页，星期日，2025年，2月5日把工作点附近的某一小段特性等效（近似）成一条直线—用一电阻等效小信号模型（动态模型或交流模型）第9页，共52页，星期日，2025年，2月5日二极管电路举例例一、在图示所示的电路中，D1、D2是理想二极管，，试画出和的波形图。第10页，共52页，星期日，2025年，2月5日解：由于稳压管经电阻接有12V电压，所以稳压管击穿，其二端电压即为6V，D2始终不导电，D1只有在大于6V后导电，一经D1导电，输出就是6V电压。波形如图。第11页，共52页，星期日，2025年，2月5日例二、图示电路是一个双向限幅电路，设二极管为理想元件，输入电压从0V变化至100V，试画出电路的电压转输特性（曲线）。第12页，共52页，星期日，2025年，2月5日解：设D1、D2均导电，则可写出两个回路方程：可见，D1导电的条件是：D2导电的条件是：因此，当D1截止，D2导电，当D1导电，D2截止，第13页，共52页，星期日，2025年，2月5日其中第14页，共52页，星期日，2025年，2月5日当D1、D2均导电，所以，电压传输特性如图：第15页，共52页，星期日，2025年，2月5日半导体三极管电路两个PN结的一种半导体器件NPN结构PNP结构第16页，共52页，星期日，2025年，2月5日要有电流放大作用时，对器件结构等的要求工艺结构要求：E区面积大，多子浓度最高；C区面积最大，多子浓度最低；B区小而窄，多子浓度较低。第17页，共52页，星期日，2025年，2月5日对二