半导体制造技术.pptVIP

*Ashortreviewofchemistry’speriodictableoftheelementsshowsthelocationofsiliconwithrespecttoitsneighboringelements.Siliconisamemberofthegroup4elements.Theseareelementsthathavefourvalenceelectronsandformcovalentbondsverymuchlikeintheprecedingdiagram.Elementsingroups3and5serveasdopingmaterials.Thesearematerialsthatareusedtodeliberatelychangetheelectricalconductivityofsilicon.Thematerialsaresometimesreferredtoasimpuritiesordopants.Impuritiesarenottobeconfusedwithcontaminantsthatresultindefectsinsemiconductorproducts.*Nowletusexamineacommonmaterialusedinthemanufactureofmicrochips.Acrystalofpuresiliconisformedfromindividualatomsthatshareelectronswitheachother.Theresultofthebondingofsiliconatomsistoformacrystallatticestructureofcovalentbonds.Acloselookatthevalenceringsshowthateachsiliconatomsharesitsvalenceelectronswithfourneighboringatoms.Thus,itwouldappearthatthevalenceringofeachatomhasafullcomplementofvalenceelectrons.Inthisexample,veryfewelectronsexistexceptontheoutersurfacesofthecrystal.Thismayexplainwhysiliconsometimesbehavesverymuchlikeaninsulator.GroupIII(p型)硼 5铝 13镓 31铟 49GroupIV碳 6矽 14锗 32锡 50GroupV(n-型)氮 7磷 15砷 33锑 51受体杂质施体杂质半导体*划线元素使用於矽基板的IC制程。矽掺杂图2.22第30页，共37页，星期日，2025年，2月5日施体原子供应额外的电子形成n型矽磷原子当作n型的掺质多出的电子(?)SiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiPPP掺杂磷以形成n型矽图2.23第31页，共37页，星期日，2025年，2月5日自由电子流在n型矽自由电子往正端流电源供应的正端电子流电源供应的负端图2.24第32页，共37页，星期日，2025年，2月5日受体电子提供一个电子空位，形成p型矽电洞硼原子当作

p型的掺质SiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiBSiSiSiSiSiSiBB掺杂硼以形成p型矽图2.25第33页，共37页，星期日，2025年，2月5日在p型矽的电洞流电子流电洞流电源供应的正端电源供应的负端电洞往负端流电子往正端流图2.26第34页，共37页，星期日，2025年，2月5日矽的电阻率与掺质浓度之关系RedrawnfromVLSIFabrica