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2.4空间电荷区的复合电流和产生电流图2-11衬底掺杂浓度为1016cm?3的硅扩散结的电流?电压特性低偏压：空间电荷区的复合电流占优势偏压升高：扩散电流占优势更高偏压：串联电阻的影响出现了（扩散电流为主）第62页，共128页，星期日，2025年，2月5日2.4空间电荷区的复合电流和产生电流2.扩散电流对于P+N结，当外加正向电压且VVT时，把扩散电流记为3.复合电流与扩散电流的比较（对于P+N结）上式表明，若越小，电压愈低，则势垒区复合电流的影响愈大；半导体材料的禁带宽度愈大，势垒区复合电流愈大；硅PN结比锗PN结势垒区复合电流大；PN结轻掺杂区杂质浓度愈大，势垒区复合电流愈大。第63页，共128页，星期日，2025年，2月5日PN结反偏时，由于空间电荷区对载流子的抽取作用，空间电荷区的载流子浓度低于平衡值（pnni2），所以产生率大于复合率，净产生率不为零，空间电荷区内存在产生电流。体内扩散电流来自PN结两侧P区和N区内产生的电子和空穴，而空间电荷区中的产生电流，是指空间电荷区中复合中心产生出来的电子－空穴对形成的电流。二反向PN结空间电荷区产生电流第64页，共128页，星期日，2025年，2月5日CBAD:反向电子扩散电流，在P区通过复合中心产生的电子A和空穴B，电子由A扩散到PN结空间电荷区，并被电场扫到N区流向右方，而空穴流向左方。C’B’A’D’空穴EFGH：PN结空间电荷区中复合中心产生的电子空穴对被电场分别扫进N区和P区，这个产生电流是反向扩散电流之外的一个附加的反向电流。反向电流产生的物理过程第65页，共128页，星期日，2025年，2月5日空间电荷区复合中心的产生电流不像反向扩散电流那样会达到饱和值，而是随着反向偏压的增大而增大。这是因为，PN结空间电荷区随着反向偏压的增大而展宽，处于空间电荷区的复合中心数目增多，所以产生电流增大。U0意味着正的产生率，所形成的电流是空间电荷区产生的电流而不是复合电流：特点：第66页，共128页，星期日，2025年，2月5日2.5隧道电流当P侧N侧均为重掺杂时，有些载流子可能穿透（代替越过）势垒而产生额外的电流，这种机制称为量子力学的隧道效应。（1）费术能级位于导带或价带的内部；（2）空间电荷层的宽度很窄，因而有较高的隧道穿透率；（3）在相同的能量水平上，在一侧的能带中有电子而在另一侧的能带中有空状态。条件：当结的两边均为重掺杂，从而成为简并半导体，这些条件就得到满足第67页，共128页，星期日，2025年，2月5日第68页，共128页，星期日，2025年，2月5日隧道二极管是因为用含有大量杂质的本征半导体制作PN结时，会产生极薄的耗尽层，若加正向偏压，则在达到扩散电位之前，由于隧道效应而发生电流流动。若接近扩散电位，则为通常的二极管特性，所以如图所示，在正向电压低的范围，显示出负的电阻。隧道二极管的电压电流特性隧道二极管的优点是开关特性好，速度快、工作频率高；缺点是热稳定性较差。一般应用于某些开关电路或高频振荡等电路中。第69页，共128页，星期日，2025年，2月5日(1)隧道结未加电压时的能带图如右图所示。这时P区价带和n区导带虽然具有相同能量的量子态，但是n区和p区的费米能级相等，在结的两边，费米能级以下没有空量子态，费米能级以上的量子态没有电子占据，所以，隧道电流为零，对应于特性曲线上的o点

各种偏压条件下隧道结的能带图图(a)第70页，共128页，星期日，2025年，2月5日(2)加一很小的正向电压v，n区能带相对于p区将升高qv，如右图所示，这时结两边能量相等的量子态中，p区价带的费米能级以上有空量子态，而n区导带的费米能级以下有量子态被电子占据，因此n区导带中的电子可能穿过隧道到p区价带中，产生从p区向n区的正向隧道电流，这时对应于特性曲线上的点1

图(b)各种偏压条件下隧道结的能带图第71页，共128页，星期日，2025年，2月5日(3)继续增大正向电压，势垒高度不断下降，有更多的电子从n区穿过隧道到p区的空量子态，使隧道电流不断增大。当正向电流增大到Ｉp时，这时P区的费米能级与n区导带底一样高，n区的导带和p区的价带中能量相同的量子态达到最多，n区的导带中的电子可能全部穿过隧道到p区价带中的空量子态去，正向电流达到极大值Ｉp，这时对应于特性曲线的点2.第72页，共128页，星期日，2025年，2月5日(4)再增大正向电压，势垒高度进一步降低，在结两边能量相同的量子态减少，使n区导带中可能穿过隧道的电子数以及p区价带中可能接受穿过隧道的电子的