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GaN基多量子阱纳米结构：制备工艺与发光性能的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的发展历程中，氮化镓（GaN）基材料作为第三代半导体材料的杰出代表，凭借其宽禁带、高电子迁移率、高饱和漂移速度以及良好的热稳定性等一系列优异特性，在光电子、微电子和能源等众多领域展现出了巨大的应用潜力，成为了全球科研领域的研究焦点。

在高功率电子器件领域，GaN器件发挥着至关重要的作用。以电动汽车的功率逆变器为例，采用GaN功率器件可使逆变器的体积大幅减小，同时显著提升能源转换效率，有效延长车辆的续航里程；在智能电网的电力转换设备中，GaN器件能够实现更高的功率密度和效率，降低能量损耗