系统贮存可靠性评估的加速参数漂移法研究.docxVIP

系统贮存可靠性评估的加速参数漂移法研究

一、加速参数漂移法的理论基础

（一）参数漂移的物理机理

在电子器件中，参数漂移是一个关键的物理现象，主要由热载流子注入（HCI）和负偏置温度不稳定性（NBTI）两种效应驱动。这两种效应深刻影响着器件的性能与可靠性，是理解加速参数漂移法的重要基础。

热载流子注入（HCI）主要发生于NMOS器件。当NMOS处于强电场环境时，沟道中的载流子会被加速。以电子为例，这些电子在漏端有一定几率发生碰撞电离，产生电子-空穴对。产生的电子在栅极电场的吸引下，会注入到栅氧化层中，而空穴则流入衬底。随着时间推移，注入到栅氧化层中的电子不断增多，导致器件的阈值电压、饱和电流和跨导等参数发生漂移。这就好比一条原本通畅的道路，随着时间的推移，不断有障碍物（注入的电子）出现，使得车辆（载流子）通行的速度和数量都受到影响，最终导致电路性能下降。

负偏置温度不稳定性（NBTI）则主要作用于PMOS器件。在高温负偏置条件下，PMOS界面处的硅氢键会发生断裂。断裂后产生的氢离子会扩散，形成氧化层中的体电荷缺陷或陷阱，部分氢离子还会扩散到栅极。这些变化会导致器件的阈值电压、饱和电流和跨导等参数漂移，且这种漂移具有不可逆性。即使后续改变偏置电压，由于氢离子无法完全回到原来位置，器件参数也无法恢复到初始状态，就像一块被损坏的拼图，即便尝试修复，也无法恢复到最初完整的模样。

HCI和NBTI效应均会随着时间的增加或温度的升高而加剧，是器件本身固有的退化特性。在工艺可靠性考核中，针对这两种效应设定了严格的阈值。对于HCI，通常以Idsat退化10%作为失效判据，要求在25℃、1.1倍Vdd条件下，累积失效率达到0.1%的时间要大于0.2年；对于NBTI，以累积失效率50%的时间为考核指标，要求在125℃、1.1倍Vdd条件下，这个时间要大于5年。通过这些阈值的设定，确保在正常使用条件下，器件参数漂移在可接受范围内，保证器件能稳定工作。

（二）加速退化试验原理

在实际工程应用中，由于现代产品的可靠性越来越高，在正常贮存条件下，器件的参数漂移过程极为缓慢，需要很长时间才能观察到明显的变化，这对于快速评估产品的可靠性极为不利。为了解决这一问题，加速退化试验应运而生。

加速退化试验的核心思想是通过施加高于正常工况的应力，如提高温度、增加电压等，来加速器件参数的漂移过程。这样，在较短的时间内就可以获取到器件参数的退化数据，进而外推到正常条件下，评估产品的可靠性。其背后的核心假设是参数漂移过程遵循阿伦纽斯定律。阿伦纽斯定律表明，化学反应速率与温度之间存在指数关系，在加速退化试验中，这意味着应力的增加会使参数漂移的反应速率呈指数上升。例如，当温度升高时，分子的热运动加剧，原子间的相互作用更加频繁，从而加速了参数漂移的进程。

在试验过程中，通常采用高斯过程模型来描述参数的退化路径。高斯过程是一种随机过程，它可以很好地捕捉到参数在退化过程中的不确定性和随机性。通过对不同时间点的参数测量数据进行分析，可以确定高斯过程模型中的参数，从而准确地描述参数的退化趋势。在这个模型中，定义参数漂移超过预设阈值的首达时间为失效时间。这个预设阈值通常根据产品的实际使用要求和性能标准来确定，一旦参数漂移超过这个阈值，就认为产品失效。通过建立加速应力与失效时间之间的映射关系，就可以利用加速退化试验得到的数据，预测产品在正常使用条件下的可靠性。

在电子产品的加速退化试验中，通过将温度提高到正常工作温度以上，同时增加电压，在较短时间内获取到器件参数的退化数据。利用这些数据，结合高斯过程模型和阿伦纽斯定律，外推得到产品在正常工作条件下的失效时间和可靠性指标，从而为产品的设计优化、质量控制和寿命预测提供有力依据。加速退化试验有效地解决了正常贮存条件下失效数据稀缺的问题，大大提高了可靠性评估的效率和准确性。

二、加速参数漂移法的模型构建

（一）可靠性评估模型框架

在可靠性评估领域，初始失效模型是一个重要的基础概念，其数学表达式为R(t)=P(T\geqt|T0)P(T0)。这个公式看似复杂，实则蕴含着深刻的物理意义。其中，P(T\geqt|T0)表示在产品已经正常开始工作（即T0）的前提下，能够持续正常工作到时刻t或者更久的概率，它反映了产品在正常工作阶段的可靠性表现；而P(T0)则表示产品能够成功启动并开始正常工作的概率，这一概率体现了产品在初始阶段的可靠性状况。这两个概率的乘积，即R(t)，全面地描述了产品在整个生命周期内，从开始工作到时刻t保持正常工作状态的综合可靠性。

在实际应用中，为了更准确地评估产品的可靠性