负光阻留下的光阻.pptVIP

第1页，共14页，星期日，2025年，2月5日微影技術流程第2页，共14页，星期日，2025年，2月5日光阻製程◆光阻的材料，通常是將感光性的樹脂成分溶解於有機溶劑中，利用旋轉塗佈將基板塗上一層光阻。◆光阻可分為負光阻和正光阻兩種，但由於解析度的關係，目前以正光阻為主流。◆負光阻是曝光的部位經聚合硬化後，將未曝光的部位溶解，得到曝光部位的顯像。◆正光阻利用不同的顯像液，改變可溶性的構造，選擇將曝光的部分溶解或聚合，顯像留下未曝光的部分。◆如圖為正光阻和負光阻的定義。第3页，共14页，星期日，2025年，2月5日負光阻和正光阻的比較第4页，共14页，星期日，2025年，2月5日負光阻和正光阻的比較◆欲形成相同的底膜圖案時，負光阻和正光阻使用黑白相反圖案的光罩。◆負光阻留下的光阻圖案(曝光部分)，受到顯像液的影響而膨脹，導致解析度降低。◆正光阻有穩定性、黏著性、使用不便等問題。但因具有高解析度，而選擇使用正光阻。因為光阻顯像時，對曝光和未曝光部分的溶解度差(對比)，必須非常敏銳。◆負光阻是含有具感光特性的化合物和環化橡膠類樹脂的有機溶劑，經光線照射後產生架橋反應，經重合、硬化，利用顯影劑形成不溶性鹼。也就是說，可利用曝光部分和未曝光部分產生溶解度的差異，進行圖案的顯像。◆正光阻則是含有感光性材料和酚類樹脂的有機溶劑，為不溶性鹼。但經過光的照射，則成為可溶性鹼，因此可使用鹼溶劑進行圖案的顯像。第5页，共14页，星期日，2025年，2月5日負光阻和正光阻的比較參數負光阻正光阻化學穩定性穩定稍不穩定靈敏度較高較低解析度稍低高顯像容許度大小氧的影響大小塗佈膜的厚度因解析度無法加厚可加厚塗佈階梯式覆蓋率不佳良好去除光阻(圖案形成後)稍困難容易耐濕式蝕刻性良好不佳耐乾式蝕刻性稍差良好與SiO2的黏著性良好不佳機械強度強弱第6页，共14页，星期日，2025年，2月5日微影製程詳細流程第7页，共14页，星期日，2025年，2月5日圖案曝光製程◆步進機為了進行縮小投影，具有光學透鏡系統和照明系統(光源)。為了進行stepandrepeat，需要有精密驅動的X-Y晶圓移動台。◆步進機的性能，主要受到縮小投影透鏡的性能，調準夾對準位置的精確度，以及X-Y移動台的精確度等影響。隨著年年技術的提升，解析度也持續改良。◆由於縮小投影透鏡與光源的進步，提升解析度的手法有兩種：提升透鏡口徑(NA：numericalaperture)，及光源的短波長化。◆0.15μm的圖案，可使用KrF光源(249nm)；小於0.10μm的話，則使用更短波長的(157nm)等。◆隨著NA增大、光源的短波長化，將產生聚焦深度(DOF；DepthofFocus)的問題。第8页，共14页，星期日，2025年，2月5日聚焦深度探討◆如果超過聚焦深度，對凹凸不平的表面進行曝光時，將無法得到預期的解析度。◆由於提高解析度，DOF會變淺，故必須避免表面的凹凸，如果能保持表面平坦進行曝光，就可以得到預期的高解析度。為此提出一個有效的解決方法：多層光阻技術。◆不管底膜是否凹凸不平，只要使光阻表面平坦，在上面的薄膜(或是其他種類的光阻膜)完成高解析度的圖案後，利用RIE(反應性離子蝕刻)對下層光阻厚膜進行異向性蝕刻。如此一來，就可以形成與底膜無關的高解析度光阻圖案。這就是多層光阻製程的概念。第9页，共14页，星期日，2025年，2月5日步進機解析度、NA、波長、聚焦深度關係第10页，共14页，星期日，2025年，2月5日