半导体物理半导体的导电性.pptVIP

3.迁移率与杂质浓度和温度的关系几种散射机构同时存在时散射几率为它们的和:总平均自由时间为:总平均迁移率为:第29页，共48页，星期日，2025年，2月5日定性分析迁移率随杂质浓度和温度的变化：常用半导体锗硅中起主要散射作用的是晶格纵声学波散射和电离杂质散射由第30页，共48页，星期日，2025年，2月5日声学波散射讨论：掺杂较低：Ni很小，晶格散射起主要作用，T↑，则μ↓高掺杂样品：低温范围，杂质散射占优，T↑，μ缓慢上升；直到较高温度，μ才稍下降，说明晶格散射比较显著。T不变时，杂质浓度Ni↑，散射越强，则μ↓。对于补偿材料，杂质全部电离时，载流子浓度决定于两种杂质浓度之差，而迁移率则由两种杂质浓度之和决定Ni=NA+ND(计算题)电离杂质散射极低温度下：晶格原子的热振动很弱，杂质散射占优，是Ni的函数高温下：晶格散射占优势，μ对Ni依赖程度小。第31页，共48页，星期日，2025年，2月5日迁移率和杂质与温度关系:第32页，共48页，星期日，2025年，2月5日迁移率和杂质浓度的关系:第33页，共48页，星期日，2025年，2月5日练习P141－2；第34页，共48页，星期日，2025年，2月5日半导体物理半导体的导电性第1页，共48页，星期日，2025年，2月5日Chapter1:半导体中电子运动的基本特征和能量状态→载流子具有类似于自由荷电粒子的性质Chapter3:在平衡状态下，两种载流子浓度与半导体结构、所含杂质以及温度的关系Chapter4:在电场作用下，半导体中载流子运动所引起的一些主要现象及运动规律实际半导体器件总是工作在一定的外部条件（如电场、磁场、….）载流子在外加电场作用下的漂移运动(包括与其相联系的材料的主要参数如迁移率、电导率、电阻率等)，并讨论影响这些参数的因素。散射（晶格振动、杂质、晶格畸变）第2页，共48页，星期日，2025年，2月5日4.1载流子的漂移运动迁移率无外加电场作用时：载流子热运动是无规则的，运动速度各向同性，不引起宏观迁移，从而不会产生电流。外加电场作用时：载流子沿电场方向的速度分量比其它方向大，将会引起载流子的宏观迁移，从而形成电流。漂移运动：由电场作用而产生的、沿电场力方向的运动（电子和空穴漂移运动方向相反）。漂移速度：定向运动的速度。漂移电流：载流子的漂移运动所引起的电流。第3页，共48页，星期日，2025年，2月5日无电场下载流子热运动外电场作用下电子漂移运动第4页，共48页，星期日，2025年，2月5日1.欧姆定律的微分形式均匀导体，|E|=V/lJ=I/s物理意义：导体中某点的电流密度正比于该点的电场强度，比例系数为电导率。欧姆定律的微分形式欧姆定律电流分布不均匀电流密度（垂直于电流方向的单位面积的电流）电导率第5页，共48页，星期日，2025年，2月5日电流密度与平均漂移速度关系电子漂移电流密度Jn=-nqvdn（n型）空穴漂移电流密度Jp=pqvdp（p型）（vdn和vdp分别为电子和空穴的平均漂移速度）2.漂移速度（driftvelocity）和迁移率（mobility）第6页，共48页，星期日，2025年，2月5日在本征情况下，J=Jn+Jp电场不太强时，漂移电流遵从欧姆定律n型半导体，np，JnJpn不随电场变化，为一常数，通常用正值μ表示其比例系数，电子的迁移率

意义：单位场强下电子的平均漂移速度,单位是m2/V·s或者cm2/V·s第7页，共48页，星期日，2025年，2月5日电子漂移电流密度Jn=-nqvdn（电子和空穴）欧姆定律微分形式反映了外电场作用下漂移运动的难易程度不同半导体材料，μn、μp不同即使是同一种材料中，μn和μp也不同，一般来说μnμp迁移率的性质：第8页，共48页，星期日，2025年，2月5日3.半导体的电导率（conductivity）电子、空穴的漂移电流n型半导体：p型半导体：混合型：本征半导体：第9页，共48页，星期日，2025年，2月5日4.2载流子的散射（Scattering）favdn增加Jn=-nqvdnJn增加？Jn恒定恒定E1.载流子散射