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2024年深芯盟国产半导体前道设备+

第三代半导体（SiC）设备调研分析报告

报告概要

深芯盟半导体产业研究部对近百家国产半导体设备厂商进行统计和分析，涵盖薄膜沉积、光刻、刻蚀、离子注入、量测与检测、清洗、去胶、涂胶显影、热处理设备。

本报告主要内容包括半导体前道设备、第三代半导体（SiC）设备两大部分，对相关技术趋势做了简要概述，收集了近百家国产设备厂商信息，并对其中的上市公司进行了量化分析和Top10排名。此外，对于每家收录的公司，我们都从核心技术、主要产品、应用场景和市场竞争力等方面进行了全方位画像分析。

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报告目录

一、国产半导体前道设备

1.热处理设备

2.薄膜沉积设备

3.CMP设备

4.涂胶显影设备

5.光刻设备

6.刻蚀设备

7.去胶设备

8.离子注入设备

9.清洗设备

10.量测与检测设备

二、国产半导体设备厂商排行榜

三、第三代半导体（SiC）设备

1.SiC长晶设备

2.SiC切割设备

3.SiC研磨设备

4.SiC抛光设备

5.SiC离子注入设备

6.SiC退火设备

7.SiC清洗设备

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8.SiC外延设备

四、国产半导体设备厂商汇编

五、结语与展望

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一、国产半导体前道设备

1.热处理设备

热处理设备市场概况

半导体热处理工艺是材料在固态下，通过加热、保温和冷却的手段，以获得预期组织和

性能的加工工艺，是半导体制造过程中的一个重要环节，它包括氧化、扩散、退火、合金等

多个工艺步骤——

氧化：将硅片放置于氧气或水蒸气氧化剂的氛围中进行高温热处理，在硅片表面发生化

学反应形成氧化膜的过程；

扩散：指在高温条件下，利用热扩散原理将杂质元素按工艺要求掺入硅衬底中，使其具

有特定的浓度分布，从而改变硅材料的电学特性；

退火：指加热扩散、离子注入等工艺后的硅片，修复带来的晶格缺陷的过程；

合金：指通过在惰性气体的环境中进行低温热处理，使金属（如铝和铜）与硅基形成良好的结合，提高配线的可靠性。

根据Gartner统计2022年全球热处理设备市场规模约为30亿美元；从市场结构来看，全球热处理设备市场主要分为三种设备，其中快速热处理设备14.1亿美元，占比47%，氧化/扩散炉10.8亿美元，占比36%。

从竞争格局来看，全球热处理设备市场由应用材料、TEL和日立国际电气垄断，占有率分别为46%、21%、15%，国产厂商有所突破，屹唐半导体份额约5%，北方华创份额0.2%。根据Gartner预测，2023年全球热处理设备市场规模大约增长5%，约为31.5亿美元。

据集微咨询（JWInsights）测算，2023年中国半导体热处理设备市场规模约为90亿元，未来半导体热处理市场将保持较好的上升空间预计到2028年，中国半导体热处理将超

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过200亿元。

图：中国半导体热处理设备市场规模（单位：亿元）

资料来源：集微咨询

热处理设备分类及应用

热处理设备也被称为炉管设备，用于半导体前道工艺中的热处理工艺，热处理过程是指

将晶圆放置在特定气体环境中施加热能的过程，包括氧化、扩散、退火等。热处理设备主要

用于氧化、扩散、退火以及合金四类工艺。按设备形态可分为卧式炉、立式炉和快速热处理

炉三类。

卧式炉和立式炉的区别在于反应腔形态。由于立式炉具有占地小、成本低、可批量热处理、可控性高的优点，目前使用最为广泛。但是卧式炉和立式炉都是将腔体与置于其中的硅片一同升降温，所以升降温速率较慢，一次可以放置100到200片晶圆。而快速热处理炉（RTP）只改变其中晶圆的温度而不改变腔体温度，因此可以进行快速退火，但只能处理单片晶圆。

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氧化/扩散炉：多用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺。氧化是将硅片放置于氧气或水汽等氧化剂的氛围中进行高温热处理，在硅片表面发生化学反应形成氧化膜的过程。扩散是指在高温条件

下，利用热扩散原理将杂质元素按工艺要求掺入硅衬底中，使其具有特定的浓度分布，从而

改变硅材料的电学特性；

快速热处理设备：一种单片热处理设备，它可以将圆片的温度快速升至工艺所需要的温度（200~1300℃),并且能够快速降温，升/降温速率一般为20~250℃/s。除了能源种类多，退火时间范围宽，快速热处理（RTP）设备还具有其他优良的工艺性能，如极佳的热预算控制和更好的表面均匀性（尤其是对大尺寸的圆片），修正离子注入造成的圆片损伤，多个腔室可以同时运行不同的工艺过程，可以集成光化学技术等。此外，RTP设备还可以灵活、