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超大规模集成电路的封装与焊接技术方案

一、方案目标与定位

（一）总体目标

构建“高密度封装-高可靠性焊接-全流程质控”体系，攻克VLSI传统封装密度低（≤1000I/O）、焊接空洞率高（≥5%）、热失效风险大（结温≥125℃）难题，实现封装I/O密度≥2000点、焊接空洞率≤1%、封装体热阻≤0.8℃/W，符合《半导体器件集成电路封装通用规范》（GB/T4937），综合效率提升40%，成品率99.5%，适配5G基站芯片、AI处理器、高端存储芯片等VLSI（芯片尺寸≥10mm×10mm）应用场景。

（二）具体目标

封装目标：陶瓷封装基板（Al?O?，厚度0.5-1.0mm）、有机封装基板（BT树脂，厚度0.3-0.6mm），封装尺寸公差≤±0.01mm、键合线间距≤25μm、焊球阵列（BGA）间距≤0.4mm，封装体耐温-55℃~150℃（温度循环1000次无失效）；

焊接目标：倒装焊（FlipChip）焊点直径≤50μm、金丝键合强度≥15g、焊料（SAC305）熔点控制在217±3℃，焊接后电气连接电阻≤10mΩ，满足VLSI高频（≥28GHz）、高功率（≥100W）运行需求。

（三）定位

适用于5G基站芯片陶瓷封装（I/O2500点，封装尺寸15mm×15mm×1.2mm）、AI处理器有机基板倒装焊（焊点直径40μm，间距0.3mm）、高端存储芯片金丝键合（键合线直径25μm，间距30μm）的封装与焊接，解决“封装密度不足”“焊接可靠性弱”“热管理难”问题。

二、方案内容体系

（一）VLSI封装技术设计

核心封装方案

Al?O?陶瓷封装基板制备（尺寸15mm×15mm×0.8mm，I/O2500点）：

设备：激光微孔加工机（波长355nm，光斑10μm）+厚膜印刷机；

参数：激光打孔（孔径50μm，孔壁粗糙度Ra≤0.5μm），厚膜印刷（导体浆料Ag-Pd，线宽20μm，间距25μm），烧结温度850℃×1h，基板平整度0.005mm/m，绝缘电阻≥101?Ω。

BT树脂有机封装基板制备（尺寸12mm×12mm×0.5mm，BGA间距0.4mm）：

设备：数控钻床（定位±0.001mm）+真空层压机；

参数：钻孔（孔径80μm，位置精度±0.002mm），层压（温度180℃，压力1.5MPa），表面镀Ni/Au（厚度5μm/0.5μm），封装尺寸公差±0.008mm，介损≤0.002（10GHz）。

封装优化

密度提升：采用“微孔+细线路”设计，陶瓷基板I/O密度提升至200点/mm2；

热管理：封装体内置铜导热柱（直径0.2mm，间距0.8mm），热阻降低至0.6℃/W。

（二）VLSI焊接技术设计

核心焊接方案

倒装焊（FlipChip，芯片尺寸10mm×10mm，焊点直径40μm）：

设备：高精度倒装焊设备（定位±0.0005mm）+回流焊炉；

参数：焊料凸点（SAC305，直径40μm，高度20μm），对准精度±0.001mm，回流焊（峰值温度245℃，保温时间30s），焊接空洞率0.8%，焊点剪切强度≥20MPa。

金丝键合（键合线直径25μm，间距30μm）：

设备：超声波金丝键合机（定位±0.001mm）；

参数：键合功率50-80mW，超声时间15-20ms，压力50-80g，键合强度18g，弧线高度控制在50±5μm，无虚焊（电气连接电阻8mΩ）。

焊接优化

空洞控制：焊料印刷前基板等离子清洗（Ar气，30W，2min），回流焊真空环境（≤1×10?2Pa），空洞率降至0.5%以下；

可靠性提升：焊接后底部填充（环氧胶，导热系数1.5W/(m?K)），温度循环失效风险降低80%。

三、实施方式与方法

（一）5G基站芯片陶瓷封装与倒装焊实施

封装流程：Al?O?陶瓷基板→激光打孔→厚膜印刷→烧结→镀Ni/Au→尺寸检测（±0.009mm），单班产能200片；

焊接流程：芯片焊料凸点制备→倒装对准→回流焊→底部填充→空洞检测（0.7%），单班产能150颗；

效果：封装体热阻0.7℃/W，5G信号（28GHz）传输损耗≤1.5dB，温度循环1000次无失效，成品率99.6%。

（二）高端存储芯片有机封装与金丝键合实施

封装流程：BT树脂基板→钻孔→层压→镀Ni/Au→BGA植球（间距0.4mm），单班产能300片；

焊接流程：芯片与基板定位→超声波金丝键合→键合强度测试（17g）→封装固化，单