微波光子链路中硅基电光调制器关键技术研究.pdfVIP

摘要

在微波光子系统中，电光调制器常常作为微波信号加载到光信号的器件，同

时在光信号处理环节中负责控制振幅，相位以及偏振参数。提高微波光子系统的集

成度，首要工作是减少各个器件的尺寸。调制器的调制效率提高，对于微波光子集

成具有重要意义。因此本文对硅基电光调制器关键技术研究，其主要研究内容是提

高调制器的调制效率，减小调制器的尺寸，具体研究结果如下：

1.设计了一种高调制效率的马赫曾德尔（MZ）调制器。基于绝缘体上铌酸锂

（LNOI）平台，在硅上二氧化硅衬底上设计了全刻蚀薄膜铌酸锂光栅波导。通过设

计MZ调制器的两个光学臂为级联布拉格光栅波导结构，实现了比传统直波导高3

倍的光学群折射率：6.32。在保证光学带宽和慢光带宽都大于6nm时，光学插入

损耗仅有1.88dB。使用Au材料设计高速行波电极，利用Au超高电导率与电极间

距控制，实现了1.15V·cm半波电压长度积和105GHz的3dB电光带宽。同时，

创新性引入氧化铟锡（ITO）材料的周期性容性加载行波电极，利用ITO的近红外

波段透明性和高电导率特性，通过仔细设计与优化容性加载行波电极的物理参数，

实现了比传统ITO行波电极更低的微波损耗和更高的微波群折射率。最终，利用

ITO电极获得了79GHz调制带宽和0.54V·cm的超低半波电压长度积，同时调制

区域的长度仅有285μm。

2.设计了一种大调制深度的幅度调制器。在此工作中创新性引入了ITO-HfO-

2

graphene薄膜叠层结构。通过将薄膜叠层内嵌在硅中，实现了单个硅波导的TE/TM

模式独立调制。利用ITO薄膜的Epsilon-Near-Zero（ENZ）效应，获得了不低于2.5

dB/μm的超高调制深度，同时模式间的串扰和插入损耗分别不高于0.02dB/μm与

0.054dB/μm。此外，还分析了调制器的工作带宽，证明在近红外波段（1.35μm-

1.6μm）调制深度不低于2.3dB/μm，插入损耗和模式串扰小于0.06dB/μm。结合

薄膜叠层的调制带宽分析，得到了在10μm长的调制区域中，1550nm波长下，能

够实现25dB的消光比以及TE与TM模式的2.78GHz、2.23GHz工作带宽。调

制器在能量消耗方面也仅需61fj/bit。

关键词：电光调制器，慢光波导，容性加载行波电极，石墨烯，Epsilon-Near-Zero

效应

ABSTRACT

Inthemicrowavephotonicssystem,electro-opticmodulatorsareoftenusedtoload

microwavesignalsontoopticalsignalsandtocontroltheamplitude,phase,and

polarizationoftheopticalsignalsinopticalsignalprocessing.Theprimarytaskfor

improvingtheintegrationofmicrowavephotonicssystemistoreducethesizeofvarious

devices.Enhancingthemodulationefficiencyofthemodulatorisofsignificant

importanceforintegratedmicrowavephotonics.Therefore,themainresearchofthekey

technologyofsilicon-basedelectro-opticalmodulatoristoimprovethemodulation

efficiencyofthemodulatorandreduceitssize,thu