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半导体物理考试题及答案

单项选择题（每题2分，共10题）

1.半导体中起主要导电作用的是（）

A.电子B.空穴C.电子和空穴D.离子

2.本征半导体的导电能力取决于（）

A.温度B.光照C.杂质D.以上都是

3.P型半导体中多数载流子是（）

A.电子B.空穴C.离子D.中子

4.N型半导体是在本征半导体中掺入（）

A.三价元素B.四价元素C.五价元素D.六价元素

5.空间电荷区又称为（）

A.耗尽层B.扩散层C.积累层D.导电层

6.当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流。

A.大于B.小于C.等于D.不确定

7.半导体二极管的伏安特性曲线是非线性的，其原因是（）

A.存在势垒区B.载流子浓度低C.杂质浓度高D.温度影响

8.稳压二极管正常工作时处于（）

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿D.不确定

9.三极管工作在放大区时，发射结（），集电结（）。

A.正偏，正偏B.正偏，反偏C.反偏，正偏D.反偏，反偏

10.场效应管是利用（）来控制漏极电流的。

A.栅源电压B.漏源电压C.源极电流D.栅极电流

答案：1.C2.D3.B4.C5.A6.A7.A8.C9.B10.A

多项选择题（每题2分，共10题）

1.半导体的特性包括（）

A.热敏性B.光敏性C.掺杂性D.绝缘性

2.本征半导体中存在的载流子有（）

A.电子B.空穴C.离子D.质子

3.杂质半导体分为（）

A.P型B.N型C.本征型D.混合型

4.PN结的形成过程包括（）

A.多子扩散B.少子漂移C.空间电荷区形成D.内电场建立

5.PN结的单向导电性表现为（）

A.正向导通B.反向截止C.正向截止D.反向导通

6.半导体二极管的主要参数有（）

A.最大整流电流B.反向电流C.最高反向工作电压D.极间电容

7.稳压二极管的特点有（）

A.击穿电压稳定B.动态电阻小C.温度系数小D.正向特性好

8.三极管的三个电极是（）

A.发射极B.基极C.集电极D.源极

9.三极管的工作状态有（）

A.放大区B.饱和区C.截止区D.击穿区

10.场效应管的优点包括（）

A.输入电阻高B.噪声低C.热稳定性好D.抗辐射能力强

答案：1.ABC2.AB3.AB4.ABCD5.AB6.ABCD7.ABC8.ABC9.ABC10.ABCD

判断题（每题2分，共10题）

1.半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。（）

2.本征半导体中没有杂质，所以不导电。（）

3.P型半导体带正电，N型半导体带负电。（）

4.PN结加正向电压时，空间电荷区变宽。（）

5.半导体二极管的反向电流随温度升高而减小。（）

6.稳压二极管工作在反向击穿区时，电流变化很大，电压基本不变。（）

7.三极管工作在饱和区时，发射结和集电结都正偏。（）

8.场效应管是电流控制型器件。（）

9.半导体的热敏性是指其导电能力随温度升高而增强。（）

10.杂质半导体的导电能力主要由杂质决定，与温度无关。（）

答案：1.√2.×3.×4.×5.×6.√7.√8.×9.√10.×

简答题（总4题，每题5分）

1.简述本征半导体与杂质半导体的区别。

本征半导体无杂质，靠本征激发产生载流子；杂质半导体掺入杂质，靠杂质电离提供载流子，P型多空穴，N型多电子。

2.说明PN结单向导电性原理。

正向偏置时，外电场削弱内电场，多子扩散形成较大电流，PN结导通；反向偏置时，外电场增强内电场，少子漂移形成很小电流，PN结截止。

3.简述三极管放大作用的条件。

发射结正偏，集电结反偏，保证发射区向基区发射电子，基区复合少部分电子，大部分电子被集电区收集形成集电极电流，实现电流放大。

4.场效应管有哪些类型？

有结型场效应管和绝缘栅型场效应管，绝缘栅型又分增强型和耗尽型。

讨论题（总4题，每题5分）

1.分析温度对半导体导电性能的影响。

温度升高，半导体中载流子热运动加剧，本征激发增强