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集成电路封装材料的切割与加工方案

一、方案目标与定位

（一）总体目标

构建“微尺度精准切割-低损伤加工-全流程质量管控”体系，实现集成电路封装材料切割尺寸公差≤±0.01mm、崩边长度≤50μm、分层率≤0.2%，加工后封装件表面粗糙度Ra≤0.2μm、芯片间距一致性偏差≤±2μm，攻克传统切割崩边率高（≥1%）、精度低（IT12级及以下）、损伤大（热影响区≥10μm）等难题，满足《半导体器件集成电路封装》（GB/T4937），综合切割效率提升35%，成品率达99.5%。

（二）具体目标

切割目标：针对环氧塑封料（EMC）、陶瓷基板（Al?O?/AlN）、玻璃晶圆，覆盖金刚石划片（EMC/陶瓷）、激光切割（玻璃/薄晶圆），划片道宽度≤50μm、激光切割热影响区≤5μm，适配QFP、BGA、SiP等封装形式（尺寸范围1-20mm）。

加工目标：封装件倒角、开槽等二次加工精度≤±0.005mm，金属化层附着力≥5N/mm2，满足集成电路高密度、微型化封装需求。

（三）定位

适用于集成电路封装、半导体器件制造领域，解决传统加工“微尺度瓶颈”“损伤大”“一致性差”难题，覆盖中小批量定制与大批量封装生产，满足半导体行业对封装材料高精度、低损伤加工的核心需求。

二、方案内容体系

（一）封装材料切割技术设计

金刚石划片（环氧塑封料/陶瓷基板）：

设备：全自动金刚石划片机（定位精度±0.5μm），配备高刚性主轴（转速30000-60000r/min），划片刀选用树脂结合剂金刚石砂轮（粒度3000-5000，厚度15-30μm）。

参数：

环氧塑封料（EMC）：划片压力50-100g，切割速度10-30mm/s，深度控制为封装厚度的1/2-2/3（避免完全切断导致崩边），后续裂片力≤5N，崩边长度≤30μm。

陶瓷基板（Al?O?）：划片压力150-200g，切割速度5-15mm/s，冷却采用去离子水（流量5-10mL/min），划片道宽度≤40μm，无分层、裂纹。

防崩边措施：划片前在封装件表面贴蓝色保护膜（厚度50μm，粘性50g/in），划片后采用超声波裂片（频率40kHz，振幅5μm），减少机械应力导致的崩边。

激光切割（玻璃晶圆/薄晶圆封装）：

设备：紫外激光切割机（波长355nm，光斑直径5-10μm），配备高精度运动平台（定位精度±0.1μm）。

参数：

玻璃晶圆（厚度100-500μm）：激光功率5-15W，扫描速度50-100mm/s，采用“多脉冲分层切割”，每层切割深度5-10μm，热影响区≤3μm，切割后边缘崩边≤20μm。

薄晶圆封装（厚度50-100μm）：激光功率3-8W，扫描速度80-150mm/s，辅助气体（氮气，压力0.2MPa），避免切割区氧化，芯片间距偏差≤±1μm。

（二）封装件二次加工工艺设计

倒角加工（QFP封装引脚倒角）：

设备：微型数控倒角机（主轴转速20000r/min，定位精度±0.1μm），刀具选用金刚石铣刀（直径0.5-1mm）。

参数：倒角角度45°±1°，进给速度5-10mm/s，切削深度5-10μm，倒角后引脚边缘无毛刺（≤5μm），满足焊接平整度需求。

开槽与金属化（SiP封装腔体加工）：

设备：激光开槽机（波长1064nm，功率20W）+真空镀膜机。

流程：激光开槽（槽宽50-100μm，深度20-50μm，热影响区≤5μm）→表面清洁→真空溅射金属化（Ti/Cu/Ni-Au，总厚度1-3μm）→附着力测试。

效果：金属化层附着力≥6N/mm2，开槽尺寸公差±0.003mm，满足多芯片集成封装需求。

三、实施方式与方法

（一）环氧塑封料（EMC）划片实施（BGA封装件，尺寸10mm×10mm，划片道40μm）

流程：封装件清洁→贴蓝色保护膜→金刚石划片（压力80g，速度20mm/s，深度0.3mm）→超声波裂片（频率40kHz）→撕膜→崩边检测。

效果：划片后芯片尺寸公差±0.008mm，崩边长度25μm，分层率0.1%，1000件合格率99.6%，满足BGA封装焊接精度需求。

（二）玻璃晶圆激光切割实施（SiP封装玻璃基板，厚度300μm，切割道50μm）

流程：玻璃晶圆固定→激光参数设置（功率10W，速度80mm/s，分层深度8μm）→多脉冲切割→去离子水清洗→热影响区检测。

效果：切割后玻璃边缘崩边18μm，热影响区3μm，芯片间距偏差±0.8μm，合格率99.8%，适配SiP高密度集成封装。

（三）封装件倒角加工实施（Q