金属衬底上纳米ZnO的制备工艺与ZnO纳米棒光学性质的深度剖析.docx

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2025-10-20 发布于上海
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金属衬底上纳米ZnO的制备工艺与ZnO纳米棒光学性质的深度剖析

一、引言

1.1研究背景

在现代材料科学与半导体技术领域，ZnO作为一种极具潜力的宽禁带半导体材料，正逐渐崭露头角，成为研究的焦点。其室温下具有3.37eV的宽禁带宽度以及高达60meV的激子束缚能，这赋予了ZnO许多独特的物理性质和广泛的应用前景。与传统半导体材料相比，ZnO的宽禁带特性使其能够在短波长光电器件领域发挥重要作用，如制备紫外激光器、紫外发光二极管等。在光电器件中，宽禁带意味着电子跃迁到导带所需的能量更大，这使得器件能承受更高的电压和温度，提高了器件的稳定性和可靠性。而较大的激子束缚能则保证了在室