天津大学《电磁兼容和测试技术》课件第2次课--课件3-电磁干扰抑制技术-屏蔽 - 蒋佳佳 4学时 - 副本(1).pptVIP

几个重要定义：近场和远场：距离大于为远场，反之，为近场近场时，源附近的场主要取决于源的特性，如源为大电流小电压时，磁场占主导作用，源为小电流高电压时，电场占主导作用。远场时，场的性质主要取决于场传播时所通过的介质。4.电磁屏蔽场论分析几个重要定义：波阻抗：远场时，等于介质特性阻抗（377欧）近场时，取决于源的特性和源到观察点的距离如大电流低电压磁场如小电流高电压电场随距离的增大，磁场以1/r3衰减，电场以1/r2衰减当距离为渐近于自由空间的波阻抗当距离为远场时，电和磁场都以1/r衰减随距离的增大，电场以1/r3衰减，磁场以1/r2衰减当距离为渐近于自由空间的波阻抗当距离为远场时，电和磁场都以1/r衰减4.电磁屏蔽场论分析几个重要定义：近远场分界条件：当信号频率为1M时，电子设备内部基本上都可以看成是近场影响近场区域内，电场和磁场的比值不是常数，而是随距离而变化，所以在近场区域内，电场和磁场得分别考虑4.电磁屏蔽场论分析几个重要定义：电导率σ：在介质中该量与电场强度E之积等于传导电流密度J，是用来描述物质中电荷流动难易程度的参数，满足σ=1/ρ（R=ρL/S）磁导率μ：磁导率μ等于磁介质中磁感应强度B与磁场强度H之比，即μ=dB/dH介电常数ε：介质在外加电场时会产生感应电荷而削弱电场，介质中的电场减小与原外加电场（真空中）的比值即为相对介电常数任何电磁波的波阻抗可定义为：介质的特性阻抗定义为:对于绝缘介质对于导体对于一般的导体4.电磁屏蔽场论分析4.电磁屏蔽反射损耗场论分析从介质Z1到介质Z2，传播波的强度变化特性：当屏蔽体周围表面绝缘时以上结论远场和近场同时适用R＝20lg反射损耗与波阻抗有关屏蔽材料的阻抗Zs1越低（?r大－良导体），则反射损耗越大；特定的屏蔽材料（Zs一定），被屏蔽的波阻抗ZW越高，则反射损耗越大。ZW4ZsZs=3.68?10-7?f?r/?r远场：377?近场：取决于源的阻抗同一种材料的阻抗随频率变化4.电磁屏蔽反射损耗场论分析377波阻抗电场为主E?1/r3H?1/r2磁场为主H?1/r3E?1/r2平面波E?1/rH?1/r?/2?到观测点距离rE/H?距离小于?/??时，称为近场区，大于?/??时称为远场区。近场区中，波阻抗小于377，称为低阻抗波（磁场波）；波阻抗大377，称为高阻抗波（电场波）。波阻抗随距离而变化。远场区，波阻抗仅与电场波传播介质有关，空气为377?。4.电磁屏蔽波阻抗概念反射损耗Zs=屏蔽体阻抗，D=屏蔽体到源的距离（m），f=频率（MHz）,dB远场:R＝20lg3774Zs45002DfDfZsZs电场:R＝20lg磁场:R＝20lg已有于是注意：反射损耗不是将电磁能量损耗掉，而是将其反射到空间。反射的电磁波有可能对其它电路造成影响。特别是当辐射源在屏蔽机箱内时，反射波在机箱内可能会由于机箱的谐振得到增强，对电路造成干扰。4.电磁屏蔽不同电磁波反射损耗近场反射损耗R(dB)1500.1k1k10k100k1M10M100M平面波fD=30m电场D=1mD=30m磁场D=1m电场反射损耗磁场反射损耗,当频率升高时，电场和磁场损耗趋向于一致，汇合在平面波的反射损耗数值上。距离电偶极源越近，则反射损耗越大（波阻抗越高）。磁偶极源，则正好相反。频率影响：频率升高时，电场的波阻抗变低，磁场波的波阻抗变高。同时屏蔽材料的阻抗发生变化（变大）。对于平面波，由于波阻抗一定（377?），因此随着频率升高，反射损耗降低。4.电磁屏蔽影响反射损耗的因素反射损耗入射电磁波E1剩余电磁波E2E2=E1e-t/?A＝20lg(E1/E2)=20lg(et/?)t0.37E0?＝