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新型BCNO与CsPbX3半导体发光材料：活化合成、性能表征与应用探索

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，光电器件在现代社会中的应用愈发广泛，从日常照明到高端显示技术，从光通信到生物医学成像，光电器件的性能直接影响着相关领域的发展水平。半导体发光材料作为光电器件的核心组成部分，其性能的优劣对光电器件的发光效率、色彩纯度、稳定性等关键指标起着决定性作用。新型半导体发光材料的研发，旨在突破传统材料的性能瓶颈，为光电器件的性能提升和功能拓展提供新的可能。

BCNO（硼碳氮氧）材料作为一种新型的半导体材料，因其独特的电子结构和化学组成，展现出优异的物理性能。在光电器件领域，BCNO材料有望凭借其良好的发光性能，为新一代发光二极管（LED）、激光二极管（LD）等器件带来更高的发光效率和更丰富的发光颜色，从而满足不同场景下对光电器件的多样化需求。同时，其在储能材料和催化剂等领域的潜在应用，也为解决能源和环境问题提供了新的思路和方法。

CsPbX?（X=Cl,Br,I）作为全无机钙钛矿半导体材料，具有发光波长可调、半高峰窄、量子效率高、光谱范围可调、合成工艺简单等优点，在太阳能电池、发光二极管、激光器、光电探测器等领域展现出巨大的应用潜力。在发光二极管中，CsPbX?量子点可实现高效的发光，为高亮度、高色彩饱和度的显示技术提供了可能；在太阳能电池中，其优异的光电转换性能有望提高太阳能的利用效率，推动可再生能源的发展。然而，CsPbX?材料的化学稳定性较差，在实际应用中容易受到环境因素的影响而发生性能衰退，限制了其大规模商业化应用。

本研究聚焦于新型BCNO和CsPbX?半导体发光材料，通过对其活化合成方法的深入探索，旨在开发出高效、可控的合成工艺，实现材料的高质量制备。同时，系统研究两种材料的性能，揭示其发光机制和影响性能的关键因素，为材料的性能优化提供理论依据。通过对两种材料的研究，有望解决当前光电器件领域中面临的一些关键问题，推动光电器件技术的发展和创新，具有重要的科学意义和实际应用价值。

1.2国内外研究现状

在BCNO半导体发光材料的研究方面，国内众多科研团队积极开展工作。有团队通过模板法制备BCNO材料，利用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）等手段对其结构进行表征，发现通过调整制备过程中的反应条件，如温度、压力、反应时间等，可以有效地调控BCNO的发光性能，且模板法具有操作简便、成本低廉等优势。另有学者对BCNO发光材料的发光原理进行分析，通过光谱性质研究，提出其发光主要来源于电子在能级间的跃迁。在国际上，也有科研人员对BCNO材料的电子结构和光学性质进行理论计算和模拟，从原子和分子层面揭示其发光机制，为实验研究提供理论指导。

对于CsPbX?半导体发光材料，国内研究取得了一系列成果。有团队采用热注入法或一步法合成CsPbX?钙钛矿量子点，研究不同合成条件（如反应温度、反应时间等）对量子点性能的影响，发现合适的反应温度和时间能合成出具有较高光致发光效率、良好光谱可调谐性以及良好成膜性的量子点。还有学者对CsPbX?量子点在空气中的稳定性以及温度与湿度对其稳定性的影响进行研究，提出通过优化合成工艺和提高材料本身的稳定性来进一步提高其抗环境因素的能力。在国外，IBM苏黎世研究实验室、美国海军实验室等单位结合第一性原理和单粒子光谱，对钙钛矿半导体量子点的激子暗态进行研究；浙江工业大学潘军教授、李静副研究员以及浙江大学戴兴良研究员成功开发出基于多功能配体修饰CsPbI?量子点的高效纯红色发光器件，其外量子效率（EQE）达到28.73%，创下基于CsPbX?量子点的纯红光LED纪录效率。

1.3研究目标与内容

本研究的目标在于探索新型BCNO和CsPbX?半导体发光材料的活化合成方法，深入研究其性能，并对其在光电器件中的应用进行初步探索。

在活化合成方法探索方面，针对BCNO材料，尝试不同的合成路径，如改进模板法，探索新的模板材料和反应条件，以实现对BCNO材料结构和形貌的精确控制；对于CsPbX?材料，优化热注入法和一步法等传统合成方法，研究不同前驱体、溶剂和反应参数对合成材料质量的影响，同时探索新的合成技术，如原位生长法在介孔氧化硅孔道内生长CsPbX?量子点，以提高材料的稳定性和发光性能。

在性能研究部分，利用XRD、SEM、透射电子显微镜（TEM）等结构表征手段，以及光致发光光谱（PL）、电致发光光谱等光电性能测试技术，全面研究BCNO和CsPbX?材料的结构与性能关系。分析BCNO材料中元素掺杂对其发光性能的影响机制，研究CsPbX?材料的激子动力学过程、载流子传输特性以及稳定性的影响因素。

在应用探索方