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Bi4Ti3O12陶瓷压电与导电性能的关联及优化策略研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在功能材料的广袤领域中，Bi4Ti3O12（BIT）陶瓷凭借其独特的物理性质和晶体结构，占据着举足轻重的地位。它属于铋层状结构化合物（BLSFs），这类化合物一般通式为（Bi2O2）2+（An-1BnO3n+1）2-，其中n代表钙钛矿层的数目，在BIT中n=3。其晶体结构由[Bi2O2]2+层和[Ti3O10]2-钙钛矿层沿c轴方向交替堆叠而成。这种特殊的层状结构赋予了BIT陶瓷一系列优异的性能，使其在众多领域展现出巨大的应用潜力。

压电性能作为BIT陶瓷的关键特性之一，使其能够实现机械能与电能之间的相互转换。当受到外力作用时，BIT陶瓷会产生电荷，反之，在电场作用下，它又会发生机械形变。这种特性使得BIT陶瓷在传感器领域大放异彩，比如在压力传感器中，它能够将压力信号精准地转换为电信号，从而实现对压力的精确测量；在超声波换能器里，它可以将电信号转换为超声波信号，用于无损检测、医学成像等领域，为这些领域的技术发展提供了关键的材料支持。

同时，BIT陶瓷的导电性能也不容忽视。其导电机制较为复杂，涉及到离子和电子的传导。在一定条件下，BIT陶瓷可以表现出半导体特性，这一特性使其在电子器件领域具有潜在的应用价值。例如，在一些电子开关和存储器的设计中，BIT陶瓷的导电性能可以被巧妙利用，为实现高性能的电子器件提供了新的思路和可能性。

研究BIT陶瓷的压电和导电性能，对于材料科学的发展具有深远的理论意义。深入探究其压电和导电性能的内在机制，有助于揭示材料结构与性能之间的关系，丰富和完善材料科学的理论体系，为新型功能材料的设计和开发提供坚实的理论基础。从实际应用角度来看，对BIT陶瓷压电和导电性能的研究成果，能够有力地推动其在传感器、电子器件、能源等多个领域的广泛应用，促进相关产业的技术升级和创新发展，进而对社会经济的发展产生积极而深远的影响。

1.2国内外研究现状

在过去的几十年里，国内外科研人员针对Bi4Ti3O12陶瓷的压电和导电性能展开了广泛而深入的研究。在压电性能方面，早期研究主要聚焦于BIT陶瓷的基本压电特性表征。研究发现，由于其晶体结构中自发极化方向受到二维限制，导致其压电系数偏低，一般d33小于7pC/N。为了提升其压电性能，科研人员尝试了多种方法。中国科学院上海硅酸盐研究所董显林研究员团队采用“熔盐法”制备不等轴晶粒并结合无压烧结的新组合工艺，通过调控成型过程的单轴压力大小，成功制备了高度取向（f=0.83）的BIT基压电陶瓷，使平行方向压电系数d33提高了4倍左右，达到了29.7pC/N。该团队还基于“离子对效应”，采用(W1/2Nb1/2)4+δ和(Mn1/3Nb2/3)4+δ复合离子组合调控BIT氧八面体的旋转和振动模式，获得了高压电性能（d33为32.0pC/N）的陶瓷材料。此外，通过A/B位协同掺杂策略，设计的Bi4-xCexTi2.98(WNb)0.01O12压电陶瓷体系，最优组分Bi3.97Ce0.03Ti2.98(WNb)0.01O12陶瓷的压电系数d33高达40.2pC/N，这是目前报道的BIT基陶瓷压电系数d33最大值。

在导电性能研究方面，国内外学者也取得了一定成果。研究表明，BIT陶瓷的高温电阻率较低（ρ104Ω?cm@500℃），这导致其漏电流偏大，制约了在高温领域的应用。为了解决这一问题，有研究通过引入特定离子对来抑制导载流子的迁移，从而提高电阻率。如引入Nb5+-Zn2+-Nb5+离子对后，500℃时的直流电阻率提高了两个数量级，达到1.2×107Ω?cm。

尽管国内外在BIT陶瓷的压电和导电性能研究上取得了诸多进展，但仍存在一些不足与空白。在压电性能提升方面，目前的改进方法往往伴随着工艺复杂、成本较高等问题，如何在保证高性能的同时简化制备工艺、降低成本，是亟待解决的问题。而且对于压电性能与微观结构之间的关系，虽然已有一些研究，但仍不够深入和全面，尤其是在多因素协同作用下的微观机制研究还相对薄弱。在导电性能研究中，对于BIT陶瓷在复杂环境下的导电稳定性研究较少，不同制备工艺对导电性能的长期影响也缺乏系统的研究。

1.3研究内容与方法

本文围绕Bi4Ti3O12陶瓷的压电和导电性能展开深入研究，主要内容包括：首先，采用固相法制备Bi4Ti3O12陶瓷，通过精确控制原料的配比、研磨时间、烧结温度和时间等工艺参数，制备出高质量的陶瓷样品，为后续性能测试提供基础。其次，运用X射线衍射（XRD）、扫描电子