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微通道辅助涂布技术:图案化有机单晶阵列制备与场效应晶体管性能研究
一、引言
1.1研究背景与意义
随着科技的飞速发展,有机半导体材料在电子器件领域展现出巨大的应用潜力,有机场效应晶体管(OFETs)作为其中的关键元件,受到了广泛关注。有机单晶由于其完美的晶体结构,不存在晶界和缺陷,具备优异的电学性能,如高载流子迁移率、良好的电荷传输特性等,是制备高性能OFETs的理想材料。然而,如何实现有机单晶的图案化阵列制备,一直是该领域的研究难点。传统的制备方法,如物理气相沉积法,虽然能够制备出高质量的单晶,但设备昂贵、制备过程复杂,且难以实现大面积图案化;溶液法虽成本较低、操作简便,但在晶体生长的
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