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《半导体物理》期中试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题

1.在周期性势场中，电子的波函数满足布洛赫定理，其一般形式为ψ(r)=e^(ik·r)u(r)，其中u(r)满足2π∫?^au*(r)u(r)dr=1。u(r)代表的是：

A.普通球面波函数

B.周期性函数，周期与晶格周期相同

C.非周期性函数

D.没有物理意义的数学函数

2.对于直接带隙半导体，当光子能量等于带隙宽度时，光子被吸收并产生电子-空穴对。与间接带隙半导体相比，其主要区别在于：

A.导带底和价带顶均位于Γ点

B.导带底和价带顶均位于X点

C.电子可以从导带直接跃迁到价带，无需声子参与

D.其禁带宽度通常更大

3.在室温下，本征硅的电子浓度n?和空穴浓度p?的乘积n?p?约为1.0×101?cm??。若在某温度下，掺入少量磷原子，使电子浓度n≈1.0×101?cm??，则此时空穴浓度p大约是多少？

A.1.0×101?cm??

B.1.0×10?2cm??

C.1.0×101?cm??

D.0(近似)

4.对于一个N型半导体，其费米能级Ec和Ef的关系是：

A.Ef位于导带底Ec之下较远处

B.Ef位于价带顶Ev和Ec之间

C.Ef位于导带底Ec之下，但靠近Ec

D.Ef位于价带顶Ev之上较远处

5.在理想PN结的平衡状态下，耗尽层内的电场主要是由什么形成的？

A.晶格热振动

B.多数载流子的扩散运动

C.少数载流子的漂移运动

D.内建电场，由P区和N区的杂质浓度差引起

6.当温度升高时，半导体本征载流子浓度n?的变化趋势是：

A.增加

B.减小

C.不变

D.先增加后减小

7.扩散电流的方向是：

A.从高浓度区指向低浓度区

B.从低浓度区指向高浓度区

C.总是与内建电场方向相同

D.总是与内建电场方向相反

8.对于理想PN结，在正向偏压下，空间电荷区（耗尽层）的宽度将：

A.变宽

B.变窄

C.保持不变

D.先变窄后变宽

9.有效质量m*的物理意义是：

A.电子或空穴在晶体周期性势场中的真实质量

B.电子或空穴在晶体周期性势场中的惯性质量

C.电子或空穴的经典质量

D.与晶格振动相关的质量

10.能带理论解释了固体为什么表现为导体、半导体或绝缘体，其核心观点是：

A.原子的核外电子能量是连续的

B.原子的核外电子能量是不连续的，形成分立的能级

C.晶格振动能量是量子化的，形成声子谱

D.当价带被填满，且导带空置时，材料表现为绝缘体

二、填空题

1.晶体中的电子能量不是连续的，而是形成一系列允许的______和禁止的______区域。

2.半导体中，电子从满带（价带）跃迁到空带（导带）产生电子-空穴对的过程称为______过程。

3.理想PN结在平衡状态下，P区内的多数载流子是______，N区内的多数载流子是______。

4.载流子通过扩散运动输运电流，其驱动力是______浓度梯度。

5.载流子通过漂移运动输运电流，其驱动力是______。

6.对于N型半导体，费米能级Ef位于导带底Ec之下，且距离Ec的远近与______浓度有关。

7.在能带理论中，能谷是指______密度最大的区域。

8.理想PN结内建电势Vbi与半导体材料的禁带宽度Eg和温度T的关系近似为Vbi≈______/(qkT)，其中q是电子电荷，k是玻尔兹曼常数。

9.当温度升高时，半导体内的本征激发增强，导致______和______浓度均增加。

10.电子在晶体中运动时，其动量不再是连续的，而是取一系列允许的______值。

三、计算题

1.能带理论的紧束缚近似假设电子在相邻原子间移动时，受到的势场是周期性的。一种简化模型是考虑一个由N个原子组成的周期性势场，电子在其中的能量E(k)近似为E(k)=E?+Acos2(ka/2)，其中k是波矢，a是原子间距，E?和A是常数。求：(1)该能带的最大值k_max