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辉光放电质谱应用概况

摘要：辉光放电质谱法（GDMS）作为一种固体样品直接分析技术，已广泛应用于

金属、导体、半导体,气体、深度等材料的痕量和超痕量杂质分析。近年来，随

着制样方法和离子源装置的改进，GDMS同样也能很好地应用于玻璃、陶瓷、氧化

物粉末等非导体材料的成分分析。本文主要对其进行分类概述。

关键词：辉光放电质谱应用

辉光放电质谱法（GDMS）被认为是目前对固体导电材料直接进行痕量及超痕

量元素分析的最有效的手段。由于其可以直接固体进样，近20年来已广泛应用

于高纯金属、合金等材料的分析。GDMS不仅具有优越的检测限和宽动态线性范围

的优点[1-2，而且样品制备简单、元素间灵敏度差异小、基体效应低[3。自VG

Isotopes公司(现名ThermoElectron)在上世纪八十年代推出了其VG9000型辉光

放电质谱分析仪以来[4，大大促进了该技术迅速发展，相关的报道倍增[5。GDMS

以其优越的分析性能在电子学、化学、冶金、地质以及材料科学等领域里得到广

泛应用，在高纯金属和半导体材料分析中已经显示出它的优越性[6-10，对它在

绝缘体、粉末、液体、有机物和生物材料分析以及负离子测定中的应用也在积极

进行研究和完善，发展前景十分广阔。

1基本原理

辉光放电(GD)属于低压下气体放电现象，历史上就作为一种有效的原子化和

离子化源用于分析。如图1所示，在辉光放电质谱的离子源中被测样品作为辉光

等离子体光源的阴极，在阴极与阳极之间充入惰性气体(一般为氩气)，并维持压

+

力为10～1000Pa。在电极两端加500～1500V的高电压时，Ar电离成电子和Ar，

+

Ar在电场的作用下加速移向阴极。阴极样品的原子在氩离子的撞击下，以5～15

eV的能量从阴极样品上被剥离下来(阴极溅射)，进入等到离子体，在等离子体中

与等离子体中的电子或亚稳态的Ar原子碰撞(Penning)电离，变成正离子：M+e-

+-*+-

→M+2e，M+Ar一M+Ar+e。已经证实在GD源中Penning离子化是居于主导地位

的电离过程[11。

2应用

2．1半导体分析

半导体材料的杂质分析也是GDMS一个重要的应用领域，具有很大的商业价

值。半导体材料中浓度极低的杂质元素就决定了其电学性质，但半导体的材料性

质及杂质元素的含量水平不是一般分析方法所能胜任的。GDMS所具有的特点使其

已成为高纯半导体材料乃至半导体工业材料必不可少的分析手段，如表1所示。

Beeker等使用RF—GDMS测定GaAs中的10个元素，并与其它质谱方法SSMS、SIMS

和LA—ICPMS的分析结果相比较。Krishna等对高纯镉中的15种元素进行了测定，

许多元素的分析结果与ICP—MS的结果吻合。此外国内的研究者也在GDMS分析半

导体材料中杂质元素方面作了许多研究，分别对高纯镉[12]、高纯碲[13]、高纯

锑[14]、高纯锗[15]、碲锌镉晶体[16]进行了测定。

2.2块状金属分析

对于GDMS分析的所有的样品类型中，块状金属(如高纯金属、合金)最为理

想，也是其最重要的应用领域。分析时，块状金属几乎不需要样品制备，仅简单

的切割或加工成适合的形状(如针状或圆盘状)，固定于离子源中即可。通过预溅

射阶段，清洁试样表面的污染后进行分析。GDMS几乎可以分析周期表中的所有元

素，并具有极低的检出限(双聚焦的仪器可达亚ng／g级)。GDMS的金属材料分析

应用的研究报道很多，如表2所示，大部分集中在对痕量元素的测定上，目前GDMS

已逐渐成为国际上高纯金属材料、高纯合金材料、稀贵金属及溅射靶材杂质分析

的重要方法。Vassamillet[17]描述了GDMS在高纯铝生产中质量控制中的应用；

Hutton与Raith[6]使用四极杆GDMS分析纯铜中的杂质元素，结果与认定值吻合极

好，检出限在0.01～0.7／μg／g之间。Raparth等[8]采用铁基标样得到相对灵

敏度因子(RSF)值，使用GD-QMS对用于高温合金生产的原料纯钴中的20个元素进

行了测定，结果与化学法测定值吻合很好。

由于GDMS的基体效应小，RSF几乎不受合金组成的影响，而且具有很宽的线

性响应范