第一章晶体缺陷.ppt

2、柏氏矢量的意义意义在于：通过比较反映出位错周围点阵畸变的总积累（包括强度和取向）。位错可定义为柏氏矢量不为零的晶体缺陷。位错线是晶体滑移区与未滑移区的边界线，滑移区上下两部分晶体相对滑移的大小和方向就是。第29页，共57页，星期日，2025年，2月5日3、柏氏矢量的性质（1）守恒性a.一根位错线只有一个，运动过程中不变。∵是滑移区上下两部分晶体相对滑动的矢量。滑移区未滑移区∴无论位错线形状如何，怎样运动，滑移区的相对滑移矢量不变，即相同。第30页，共57页，星期日，2025年，2月5日右螺C左螺D例：位错环的确定ττDABCBACD┻┬ττ┻┬ABττ第31页，共57页，星期日，2025年，2月5日b.几根位错线的节点处有：进出证明：B1B2+3B2B3L2L3L1第32页，共57页，星期日，2025年，2月5日（2）连续性位错线不能终止在晶体中，只能形成闭合回路、网络、连到表面或晶界。┻第33页，共57页，星期日，2025年，2月5日4、实际晶体中的柏氏矢量实际晶体中位错的，通常用晶向表示。表示错排的程度，称为位错的强度。一般晶体的滑移是在原子最密集的平面和最密集的方向上进行，所以沿该方向造成的位错柏氏矢量，等于最短的滑移矢量。（称为初基矢量）。这种位错称为单位位错。——为最近邻的原子间距的位错。b222wvuna++=r第34页，共57页，星期日，2025年，2月5日单位位错的体心立方面心立方简单立方密排六方a第35页，共57页，星期日，2025年，2月5日四、位错密度(cm/cm3、1/cm2)退火试样，ρ为104～106mm-2，经变形后为，ρ为1010mm-2。ρσ退火态加工硬化晶须第36页，共57页，星期日，2025年，2月5日1.3 面缺陷—界面晶体中两相邻部分的取向、结构、或点阵常数不同，在它们的接触处将形成界面。界面是一种二维缺陷，对材料的许多性能有重要影响。一、界面类型一般分类：晶界：多晶材料内部结构相同，而取向不同的晶粒之间的界面。纯铁内部结构示意图第37页，共57页，星期日，2025年，2月5日亚晶界：晶粒内部位相差10°的微区称亚结构或亚晶，其界面称亚晶界。孪晶界：晶粒内部具有特殊取向的两相邻区域，原子相对某晶面呈镜面对称排列，这两相邻区组成一对孪晶。其界面叫孪晶界。相界：具有不同晶体结构，不同化学成分的两相之间的界面。第38页，共57页，星期日，2025年，2月5日孪晶界面结构奥氏体孪晶第39页，共57页，星期日，2025年，2月5日按能量高低分类完全共格界面：(界面能最低)界面上的原子为相邻两个晶粒所共有。当两晶区晶面间距相等或稍有错配时才可能形成。理想完全共格界面一般少见，在实际晶体中，界面两侧的晶面间距稍有错配时，界面附近有应变。第40页，共57页，星期日，2025年，2月5日?返回?返回第1页，共57页，星期日，2025年，2月5日实际晶体中常存在各种偏离理想结构的区域，即晶体缺陷。晶体缺陷对晶体的性质起着重要作用。存在于晶体结构中的缺陷，按几何特征可分为：第一章晶体缺陷零维—点缺陷空位、间隙原子、置换原子、复杂离子一维—线缺陷各类位错二维—面缺陷各类晶界，表面及层错等三维—体缺陷第二相粒子、空位团等第2页，共57页，星期日，2025年，2月5日1.1 点缺陷一、点缺陷的形式与分类金属晶体中，点缺陷的存在形式有：空位、间隙原子，置换原子。半金属Si、Ge中掺入三价和五价杂质元素，晶体中产生载流子，得到P型（空穴）和N型（电子）半导体材料。离子晶体中，单一点缺陷的出现，晶体将失去电平衡。为了保持电中性，将以复合点缺陷形式出现，形成能较高。第3页，共57页，星期日，2025年，2月5日Frank复合型空位＋间隙离子Shockley复合型一对带电空位FrankShockleyNaCl晶体Ca+2取代Na+Ca+2Na+Cl-空位第4页，共57页，星期日，2025年，2月5日按形成原因分为三类：热缺陷由原子的热振动，形变加工，高能粒子轰击等，此类点缺陷浓度受热力学控制，平衡