第4章 金属半导体结.pptVIP

4.3镜像力对势垒高度的影响一、镜像力降低肖特基势垒高度（肖特基效应）镜象力引起电子电势能边界条件（4-8）（4-9）第28页，共83页，星期日，2025年，2月5日4.3镜像力对势垒高度的影响原来理想肖特基势垒近似看成线性,界面附近导带底势能曲线为表面附近电场，等于势垒区最大电场（包内建电场和偏压电场）,总势能（4-10）（4-11）图4.5(c),原来理想肖特基势垒电子能量在处下降，也就是使肖特基势垒高度下降。这就是肖特基势垒的镜像力降低现象，又叫做肖特基效应。第29页，共83页，星期日，2025年，2月5日4.3镜像力对势垒高度的影响图4-5镜像力降低金属?半导体势垒镜像力:半导体中金属表面x处的电子会在金属上感应出正电荷,这个正电荷称镜像电荷,电子与感应正电荷间的静电引力叫做镜像力.第30页，共83页，星期日，2025年，2月5日4.3镜像力对势垒高度的影响二、势垒降低的大小和发生的位置设势垒高度降低位置发生在处，势垒高度降低值（4-12）第31页，共83页，星期日，2025年，2月5日4.3镜像力对势垒高度的影响大电场下，肖特基势垒被镜像力降低很多.（4-13）第32页，共83页，星期日，2025年，2月5日4.3镜像力对势垒高度的影响镜像力使肖特基势垒高度降低的前提是金属表面附近的半导体导带要有电子存在。在测量势垒高度时，如果测量方法与电子在金属和半导体间的输运有关，则所得结果是；如果测量方法只与耗尽层的空间电荷有关而不涉及电子的输运（如电容方法），则测量结果不受镜像力影响。第33页，共83页，星期日，2025年，2月5日4.3镜像力对势垒高度的影响空穴也产生镜像力，它的作用是使半导体能带的价带顶附近向上弯曲，图4-6，但它不象导带底那样有极值，结果使接触处能带变窄。第34页，共83页，星期日，2025年，2月5日4.3镜像力对势垒高度的影响小结镜像力使理想肖特基势垒的电子能量下降，也就是使肖特基势垒高度下降。这种效应叫做肖特基效应。作为一种近似把理想肖特基势垒半导体势垒区电子能量看做线性据总能量和图4.5c解释了肖特基效应。4.肖特基势垒的降低值和总能量最大值发生的位置第35页，共83页，星期日，2025年，2月5日4.3镜像力对势垒高度的影响教学要求什么是肖特基效应？解释肖特基效应的物理机制。根据总能量公式和图4.5c解释肖特基效应。计算肖特基势垒的降低和总能量最大值发生的位置。作业：4.8、4.9第36页，共83页，星期日，2025年，2月5日4.4肖特基势垒二极管电流电压特性第四章金属-半导体结第37页，共83页，星期日，2025年，2月5日4.4肖特基势垒二极管电流电压特性热电子和热载流子二极管电子来到势垒顶向金属发射时，能量比金属电子高出约。进入金属之后,在金属中碰撞以给出多余能量之前，由于它们的等效温度高于金属中电子，因而把这些电子看成热的。肖特基势垒二极管有时称热载流子二极管。这些载流子在很短的时间内就会和金属电子达到平衡，时间一般小于.第38页，共83页，星期日，2025年，2月5日4.4肖特基势垒二极管电流电压特性一、空间电荷区中载流子浓度的变化非简并情况，导带电子浓度和价带空穴浓度（4-14）半导体内热平衡时内部载流子浓度（4-15）第39页，共83页，星期日，2025年，2月5日4.4肖特基势垒二极管电流电压特性表面空间电荷区内，本征费米能级空间电荷区中载流子浓度半导体与金属界面处（4-16）（4-17）（4-18）取半导体内为电势零点，则表面势（4-20）（4-19）第40页，共83页，星期日，2025年，2月5日4.4肖特基势垒二极管电流电压特性（4-21）（4-22）外加电压时（4-23）二、电流－电压特性〔李查德-杜师曼（Richardson-dushman）方程〕（4-20）第41页，共83页，星期日，2025年，2月5日4.4肖特基势垒二极管电流电压特性单位时间入射到单位面积上的电子数即进入金属电子数电子从半导体越过势垒向金属发射所形成的电流密度同时电子从金属向半导体中发射的电流密度（4-24）（4-25）热电子平均热运动速度为电子有效质量第42页，共83页，星期日，202