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电子元器件抗ESD损伤的基础知识1.6静电放电失效在元器件装配、传递、试验、测试、运输和储存的过程中由于壳体与其它材料磨擦，壳体会带静电。一旦元器件引出腿接地时，壳体将通过芯体和引出腿对地放电。第27页，共75页。电子元器件抗ESD损伤的基础知识电子元器件由静电放电引发的失效可为突发性失效和潜在性失效两种模式。第28页，共75页。电子元器件抗ESD损伤的基础知识突发性失效是指元器件受到静电放电损伤后，突然完全丧失其规定的功能，主要表现为开路、短路或参数严重漂移。潜在性失效是指静电放电能量较低，仅在元器件内部造成轻微损伤，放电后器件电参数仍然合格或略有变化，但器件的抗过电应力能力已经明显削弱，或者使用寿命已明显缩短，再受到工作庆力或经过一段时间工作后将进一步退化，直到造成彻底失效。第29页，共75页。电子元器件抗ESD损伤的基础知识在使用环境中出现的静电放电失效大多数为潜在失效。潜在失效比突发性失效具有更大的危险性，这一方面是因为潜在失效难以检测、而器件在制造和装配过程中受到的潜在静电损伤会影响它装入整机后的使用寿命；另一方面，静电损伤具有积累性，即使一次静电放电未能使器件失效，多次静电损伤累积起来最终必然使之完全失效。第30页，共75页。电子元器件抗ESD损伤的基础知识静电放电失效机理可分为过电压场致失效和过电流热致失效。实际元器件发生哪种失效，取决于静电放电回路的绝缘程度。第31页，共75页。电子元器件抗ESD损伤的基础知识（1）电电压场致失效：过电压场失效是指高阻抗的静电放电回路中，绝缘介质两端的电极因受了高静电放电电荷而呈现高电压，有可能使电极之间的电场超过其介质临界击穿电场，使电极之间的介质发生击穿失效。高静电电荷和高电压的来源既可以是静电源直接接触放电，也可以是由于场感应而产生的。影响过压失效的主要因素是累积的静电电荷和高电压。第32页，共75页。电子元器件抗ESD损伤的基础知识（2）过电流热致失效：过电流热致失效是由于较低阻抗的放电回路中，由于静电放电电流过大使局部区域温升超过材料的熔点，导致材料发生局部熔融使元器件失效。影响过流失效的主要因素是功率密度。物体带静电表示它有一定的能量，单位时间释放的能量是功率。通过单位面积释放的功率是功率密度。我们研究静电放电过程中释放的能量、功率和功率密度与哪些因素有关。第33页，共75页。电子元器件抗ESD损伤的基础知识a.????静电放电过程中释放的能量物体带静电电量为Q，它与地电位差为V，带静电物体的静电能是：E=Q×V（1.1）依据（13-1）式得：E=Q2/C（1.2）从（1.2）式看出带静电物体的静电能与静电量的平方成正比与等效电容成反比。显然静电量越大对元器件造成ESD损伤的危险性越大。第34页，共75页。电子元器件抗ESD损伤的基础知识B.???影响ESD损伤的另一个因素是放电时间的长短静电能量大，但如果释放的时间长，功率会很小，ESD损伤的程度就小。表征放电时间的长短的参量是放电时间常数又称弛豫时间τ。在放电回路中有： τ＝R×C。 例如对人体放电，若电容为100pF；电阻为1500Ω，时间常数是150ns。 显然，在静电放电电量不变时，元器件的放电回路中电阻、电容越大，功率就越小，静电的损伤性就越小。第35页，共75页。电子元器件抗ESD损伤的基础知识C.与静电放电功率有关的因素静电放电的峰值功率为V2/R或Q2/RC2，即静电放电功率与放电回路的串联电阻和电容的平方成反比，与静电量的平方或静电压的平方成正比。增加放电回路的串联电阻和电容是减小ESD损伤的有效途径。放电回路高阻区的横截面积为A，则在高阻区放电的功率密度是Q2/ARC2。所以增加放电回路高阻区的横截面积也是减小ESD损伤的重要途径。第36页，共75页。电子元器件抗ESD损伤的基础知识反偏pn结比正偏pn结更容易发生热致失效，在反偏条件下使结损坏所需要的能量只有正偏条件下的十分之一左右。这是因为反偏时，大部分功率消耗在结区中心，而正偏时，则多消耗在结区外的体电阻上。对于双极器件，通常发射结的面积比其它结的面积都小，而且结面也比其它结更靠近表面，所以常常观察到的是发射结的退化。第37页，共75页。电子元器件抗ESD损伤的基础知识对于静电放电热致失效，环境温度越高，发生失效所需的静电能量越低，越容易发生此类失效。需要强调的是，无论是过压失效还是过流失效，都必须考虑时间效应。静电脉冲虽然电压很高，但相对其它EOS应力而言其能量较低