2025及未来5年中国肖特基二极管行业投资前景及策略咨询研究报告
目录
TOC\o1-3\h\z\u摘要 3
一、肖特基二极管底层物理机制与材料演进路径 5
1.1金属-半导体接触势垒的量子隧穿效应与热电子发射机制解析 5
1.2宽禁带半导体(SiC/GaN)对肖特基势垒高度调控的底层逻辑 7
1.3新型异质结界面工程对反向漏电流抑制的机理突破 9
二、面向高功率密度应用的器件架构创新体系 12
2.1超结(SuperJunction)与沟槽肖特基融合架构的电场调制原理 12
2.2三维垂直集成结构在热管理与电流分布均匀性中的实现机
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