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(新)半导体复习参考试题(答案)
一、选择题
1.半导体材料中最常见的元素半导体是（）
A.Si
B.Ge
C.GaAs
D.InP
答案：A
2.在硅半导体中，掺入五价元素如磷（P）可以形成（）
A.P型半导体
B.N型半导体
C.非掺杂半导体
D.掺杂半导体
答案：B
3.PN结在正向偏置时，其电流随电压变化的特性称为（）
A.欧姆特性
B.二极管特性
C.热电特性
D.光电特性
答案：B
4.下列哪种器件属于双极型晶体管（）
A.JFET
B.MOSFET
C.BJT
D.MESFET
答案：C
5.CMOS工艺中，下列哪项描述正确（）
A.PMOS晶体管的开启电压比NMOS晶体管低
B.PMOS晶体管的开启电压比NMOS晶体管高
C.PMOS晶体管的开启电压与NMOS晶体管相同
D.无法确定
答案：B
二、填空题
1.半导体的导电性能介于______和______之间。
答案：导体、绝缘体
2.半导体材料按导电机制可分为______型和______型。
答案：P型、N型
3.PN结的反向饱和电流随温度的升高而______。
答案：增大
4.晶体三极管有______个PN结。
答案：两个
5.CMOS工艺中，PMOS晶体管和NMOS晶体管分别采用______和______掺杂。
答案：P型、N型
三、判断题
1.所有半导体材料都具有相同的导电性能。（）
答案：×
2.掺杂可以改变半导体的导电类型。（）
答案：√
3.PN结的正向电流随温度升高而减小。（）
答案：×
4.晶体三极管的工作原理是利用PN结的整流特性。（）
答案：×
5.CMOS工艺中的PMOS晶体管和NMOS晶体管具有相同的开启电压。（）
答案：×
四、计算题
1.已知某硅半导体材料在室温下的本征载流子浓度ni=1.5×10^10cm^3，求该材料在室温下的电子迁移率μe和空穴迁移率μh。
答案：μe=1350cm^2/V·s，μh=480cm^2/V·s
2.某PN结在正向偏置下的电流为10μA，反向饱和电流为10nA，求该PN结的正向电流放大系数β。
答案：β=1000
五、问答题
1.请简述PN结的形成过程及其工作原理。
答案：略
2.请分析晶体三极管的工作原理及其放大特性。
答案：略
3.请解释CMOS工艺的基本原理及其优势。
答案：略
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