第八半导体存储器讲课文档.pptVIP

重庆工学院电子信息与自动化学院第八半导体存储器第1页，共26页。一．RAM的基本结构由存储矩阵、地址译码器、读写控制器、输入/输出控制、片选控制等几部分组成。8.1随机存取存储器（RAM）第2页，共26页。1.存储矩阵图中，1024个字排列成32×32的矩阵。为了存取方便，给它们编上号。32行编号为X0、X1、…、X31，32列编号为Y0、Y1、…、Y31。这样每一个存储单元都有了一个固定的编号，称为地址。重庆工学院电子信息与自动化学院第3页，共26页。2．地址译码器——将寄存器地址对应的二进制数译成有效的行选信号和列选信号，从而选中该存储单元。例如，输入地址码A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0=0000000001，则行选线X1＝1、列选线Y0＝1，选中第X1行第Y0列的那个存储单元。采用双译码结构。行地址译码器：5输入32输出，输入为A0、A1、…、A4，输出为X0、X1、…、X31；列地址译码器：5输入32输出，输入为A5、A6、…、A9，输出为Y0、Y1、…、Y31，这样共有10条地址线。第4页，共26页。3．RAM的存储单元例：六管NMOS静态存储单元存储单元（1）写入过程：例如写入“1”（2）读出过程：例如读出“1”T1、T2为NMOS非门，T3、T4也为NMOS非门，两个非门交叉连接组成基本触发器存储数据。T5、T6为门控管。T7、T8是每一列共用的门控管。1100010110第5页，共26页。4.片选及输入/输出控制电路当选片信号CS＝1时，G5、G4输出为0，三态门G1、G2、G3均处于高阻状态，I/O端与存储器内部完全隔离，存储器禁止读/写操作，即不工作。当CS＝0时，芯片被选通：当R/W＝1时，G5输出高电平，G3被打开，被选中的单元所存储的数据出现在I/O端，存储器执行读操作；当R/W＝0时，G4输出高电平，G1、G2被打开，此时加在I/O端的数据以互补的形式出现在内部数据线上，存储器执行写操作。第6页，共26页。二.RAM的工作时序（以写入过程为例）写入操作过程如下：（1）欲写入单元的地址加到存储器的地址输入端；（2）加入有效的选片信号CS；（3）将待写入的数据加到数据输入端。（3）在R/W线上加低电平，进入写工作状态；（4）让选片信号CS无效，I/O端呈高阻态。第7页，共26页。三．RAM的容量扩展1．位扩展用8片1024（1K）×1位RAM构成的1024×8位RAM系统。第8页，共26页。2．字扩展例：用8片1K×8位RAM构成的8K×8位RAM。第9页，共26页。四、RAM芯片简介(6116)6116为2K×8位的静态CMOSRAM100CS片选×0×OE输出使能×10WE读/写控制×稳定稳定A0～A10地址码输入高阻态输出输入D0～D7输出工作模式低功耗维持读写6116的功能表A0～A10是地址码输入端，D0～D7是数据输出端，CS是选片端，OE是输出使能端，WE是读写控制端。第10页，共26页。（2）一次性可编程ROM（PROM）。出厂时，存储内容全为1（或全为0），用户可根据自己的需要编程，但只能编程一次。8.2只读存储器(ROM)一．ROM的分类按照数据写入方式特点不同，ROM可分为以下几种：（1）固定ROM。厂家把数据写入存储器中，用户无法进行任何修改。（3）光可擦除可编程ROM（EPROM）。采用浮栅技术生产的可编程存储器。其内容可通过紫外线照射而被擦除，可多次编程。（5）快闪存储器（FlashMemory）。也是采用浮栅型MOS管，存储器中数据的擦除和写入是分开进行的，数据写入方式与EPROM相同，一般一只芯片可以擦除/写入100万次以上。（4）电可擦除可编程ROM（E2PROM）。也是采用浮栅技术生产的可编程ROM，但是构成其存储单元的是隧道MOS管，是用电擦除，并且擦除的速度要快的多（一般为毫秒数量级）。E2PROM的电擦除过程就是改写过程，它具有ROM的非易失性，又具备类似RAM的功能，可以随时改写（可重复擦写1万次以上）。第11页，共26页。二．ROM的结构及工作原理1. ROM的内部结构由地址译码器和存储矩阵组成。第12页，共26页。2.ROM