调节散射机制提高Ho掺杂Mg_(3.0)Sb_(1.5)Bi_(0.5)热电性能的研究.pdfVIP

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2025-10-28 发布于浙江
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调节散射机制提高Ho掺杂Mg_(3.0)Sb_(1.5)Bi_(0.5)热电性能的研究.pdf

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第54卷第8期热加工工艺ISSN1001-3814

2025年4月HotWorkingTechnologyCN61-1133/TG

DOI:10.14158/j.cnki.1001-3814.

http://www.rjrjggy@

调节散射机制提高Ho掺杂Mg3.0Sb1.5Bi0.5

热电性能的研究

121,3

康泽鹏,陈少平,樊文浩

(1.太原理工大学物理与光电工程学院,山西太原030024;2.太原理工大学材料科学与工程学院,山西太原

030024;3.太原理工大学分析测试中心,山西太原030024)

摘要院Mg渊Sb袁Bi冤基热电材料具有高性能尧环保尧经济等优点袁已引起广泛关注袁但在实际应用中袁其热电性能仍

有待提高遥通过对晶粒尺寸的调节实现电输运性能和热输运性能的优化遥结果表明院通过载流子浓度的调节以及对晶界

散射的抑制袁当烧结温度为1073K时袁MgHoSbBi材料在600K时的功率因子高达19.38滋W窑cm-1窑K-2袁平均功

3.220.031.50.5

率因子约为17.4滋W窑cm-1窑K-2遥另一方面袁掺杂引起的点缺陷对降低晶格热导率也会有帮助遥在750K时袁这些点缺陷

使晶格热导率降低至0.47W窑m-1窑K-1遥综合电性能和热性能的调节袁MgHoSbBi的ZT值可达1.7遥

3.220.031.50.5

关键词院MgSb曰散射机制曰晶界散射曰载流子迁移率

中图分类号院TG132.2文献标识码院A文章编号院1001-3814(2025)08-0034-06

StudyonScatteringMechanismModulationonImprovingThermoelectric

PropertiesofHo-doped

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