2025《碳化硅MOSFET模型与直接串联电路概述》2000字.docx

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碳化硅MOSFET模型与直接串联电路概述

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TOC\o1-3\h\u8252碳化硅MOSFET模型与直接串联电路概述 1

38651.1碳化硅MOSFET模型 1

290551.2碳化硅MOSFET直接串联电路 7

串联碳化硅MOSFET电路存在着稳态时各管子分压不均的问题,严重时甚至会发生击穿现象,引起火灾。研究串联碳化硅MOSFET的关键是研究碳化硅MOSFET关断过程情况,了解清楚其关断暂态过程对解决这一难题有着极其重要的意义,为此本文先建立碳化硅MOSFET等效理论模型,其次配上与之对应的串联测试电路。

1.1碳化硅MOSFET模型

首先介绍一下碳化硅M

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