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2025年模拟电子技术面试题及答案

1.请对比分析MOSFET与BJT在高频小信号放大场景下的性能差异，并说明5G射频前端低噪声放大器（LNA）中更倾向于选择哪种器件，原因是什么？

MOSFET（金属-氧化物半导体场效应管）与BJT（双极结型晶体管）在高频特性上的差异主要体现在载流子传输机制、输入阻抗及寄生参数三方面。BJT通过双极载流子（电子与空穴）扩散传输，跨导gm较大（通常为mA/V量级），但基极输入阻抗较低（约几十到几百欧姆），且存在发射结电容Cπ和集电结电容Cμ，其中Cμ会通过密勒效应放大，限制高频响应。MOSFET为单极型器件，载流子仅为多数载流子（电子或空穴），输入阻抗极高（可