电路和电路元件.pptVIP

1.3.3实际电源实际的电源与理想电源有一定的差别，主要表现在，当外接电阻变化时，电源提供的电压和电流都会变化。如果负载变化时，输出电压变化很小，它就比较接近理想电压源。电流变化很小，就接近理想电流源。为了准确的表示实际电源的特性，一般是采用两种电路模型：电压源模型和电流源模型。第30页，共56页，星期日，2025年，2月5日电流源模型

IS为实际电源的短路电流值

R+-USIU+-R0RR0`ISI+-U电压源模型

US等于实际电源的开路电压值实际电源的这两种模型是等效，相互之间可以进行等效变换。Is=Us/R0R0=R0`按此选择参数，图示实际电源的两种电路模型便可相互替换。等效关系只是对外电路而言，至于电源内部并不等效。第31页，共56页，星期日，2025年，2月5日图半导体二极管的结构和符号阴极引线阳极引线二氧化硅保护层P型硅N型硅c平面型金属触丝阳极引线N型锗片阴极引线外壳a点接触型铝合金小球N型硅阳极引线PN结金锑合金底座阴极引线b面接触型符号阴极阳极D1.4半导体二极管1.4.1基本结构和符号第32页，共56页，星期日，2025年，2月5日1.4.2伏安特性特点：非线性硅管0.5V,锗管0.1V。反向击穿电压U(BR)导通压降外加电压大于死区电压二极管才能导通。外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。正向特性反向特性硅0.6~0.8V锗0.2~0.3VUI死区电压PN+–PN–+反向电流在一定电压范围内保持常数。第33页，共56页，星期日，2025年，2月5日二极管的单向导电性1.二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴极接负）时，二极管处于正向导通状态，二极管正向电阻较小，正向电流较大。2.二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极接正）时，二极管处于反向截止状态，二极管反向电阻较大，反向电流很小。3.外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。4.二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反向电流愈大。第34页，共56页，星期日，2025年，2月5日1.4.3主要参数1.最大整流电流IOM二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。2.反向工作峰值电压URWM是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，一般是二极管反向击穿电压UBR的一半或三分之二。二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。3.反向峰值电流IRM指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，IRM受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍。第35页，共56页，星期日，2025年，2月5日二极管电路分析举例定性分析：判断二极管的工作状态导通截止否则，正向管压降硅0.6~0.7V锗0.2~0.3V分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位的高低或所加电压UD的正负。若V阳V阴或UD为正(正向偏置)，二极管导通若V阳V阴或UD为负(反向偏置)，二极管截止若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为零，反向截止时二极管相当于断开。第36页，共56页，星期日，2025年，2月5日电路如图，求：UABV阳=－6VV阴=－12VV阳V阴二极管导通若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB=－6V否则，UAB低于－6V一个管压降，为－6.3Ｖ或－6.7V例1：取B点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。在这里，二极管起钳位作用。D6V12V3k?BAUAB+–第37页，共56页，星期日，2025年，2月5日两个二极管的阴极接在一起取B点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。V1阳=－6V，V2阳=0V，V1阴=V2阴=－12VUD1=6V，UD2=12V∵UD2UD1∴D2优先导通，D1截止。若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB=0V例2:D1承受反向电压为－6V流过D2的电流为求：UAB在这里，D2起钳