第三章场效应管及其放大电路.pptVIP

不同FET类型对偏置电压的要求PMOS第29页，共60页，星期日，2025年，2月5日双极型和场效应型三级管的比较第30页，共60页，星期日，2025年，2月5日双极型和场效应型三级管的比较第31页，共60页，星期日，2025年，2月5日场效应管的特点：1.场效应管是电压控制元件；2.栅极几乎不取用电流，输入电阻非常高；3.一种极性的载流子导电，噪声小，受外界温度及辐射影响小；4.制造工艺简单，有利于大规模集成；5.跨导较小，电压放大倍数一般比三极管低。第32页，共60页，星期日，2025年，2月5日3.3场效应管的主要参数 IDSS是耗尽型和结型场效应管的一个重要参数,它的定义是当栅源之间的电压UGS等于零,而漏、源之间的电压UDS大于夹断电压UP时对应的漏极电流。3.3.1直流参数1.饱和漏极电流IDSS2.夹断电压UPUP也是耗尽型和结型场效应管的重要参数,其定义为当UDS一定时,使ID减小到某一个微小电流(如1μA,50μA)时所需的UGS值。第33页，共60页，星期日，2025年，2月5日UT是增强型场效应管的重要参数,它的定义是当UDS一定时,漏极电流ID达到某一数值(例如10μA)时所需加的UGS值。?3.开启电压UT4.直流输入电阻RGSRGS是栅、源之间所加电压与产生的栅极电流之比。由于栅极几乎不索取电流,因此输入电阻很高。结型为106Ω以上,MOS管可达1010Ω以上。第34页，共60页，星期日，2025年，2月5日3.3.2交流参数跨导gm的单位是mA/V。它的值可由转移特性或输出特性求得。1.低频跨导gm2.极间电容场效应管三个电极之间的电容,包括CGS、CGD和CDS。这些极间电容愈小,则管子的高频性能愈好。一般为几个pF。第35页，共60页，星期日，2025年，2月5日3.3.3极限参数1.漏极最大允许耗散功率PDmPDm与ID、UDS有如下关系:这部分功率将转化为热能,使管子的温度升高。PDm决定于场效应管允许的最高温升。2.漏、源间击穿电压BUDS在场效应管输出特性曲线上,当漏极电流ID急剧上升产生雪崩击穿时的UDS。工作时外加在漏、源之间的电压不得超过此值。第36页，共60页，星期日，2025年，2月5日3.栅源间击穿电压BUGS结型场效应管正常工作时,栅、源之间的PN结处于反向偏置状态,若UGS过高,PN结将被击穿。第37页，共60页，星期日，2025年，2月5日三种基本组态：共源(CS)、共漏(CD)和共栅(CG)场效应管组成放大电路的原则和方法与三极管相同：为使场效应管正常工作，各电极间必须加上合适的偏置电压；为了实现不失真放大，也同样需要设置合适且稳定的静态工作点。场效应管是一种电压控制器件，只需提供栅偏压，而不需要提供栅极电流，所以它的偏置电路有其自身的特点。二、场效应管放大电路第38页，共60页，星期日，2025年，2月5日1）基本共源极放大电路图3.15共源极放大电路原理电路VDD+uO?iDVT~+?uIVGGRGSDGRD与双极型三极管对应关系b?G,e?S,c?D为了使场效应管工作在恒流区实现放大作用，应满足：图示电路为N沟道增强型MOS场效应管组成的放大电路。(UT：开启电压)第39页，共60页，星期日，2025年，2月5日一、静态分析VDD+uO?iDVT~+?uIVGGRGSDGRD图3.15共源极放大电路原理电路两种方法近似估算法图解法(一)近似估算法MOS管栅极电流为零，当uI=0时UGSQ=VGG而iD与uGS之间近似满足(当uGSUT)式中IDO为uGS=2UT时的值。则静态漏极电流为第40页，共60页，星期日，2025年，2月5日(二)图解法图3.7.4用图解法分析共源极放大电路的Q点VDDIDQUDSQQ利用式uDS=VDD-iDRD画出直流负载线。图中IDQ、UDSQ即为静态值。第41页，共60页，星期日，2025年，2月5日图3.16场效应管共源放大电路2.自给偏压电路第42页，共