第三章晶体结构缺陷.pptVIP

由于间隙正离子，使金属离子过剩型结构（II）e第61页，共119页，星期日，2025年，2月5日3）阴离子间隙型缺陷反应：根据质量作用定律:∴目前只发现UO2+x，可以看作U2O5在UO2中的固溶体，具有这样的缺陷。当在晶格中存在间隙负离子时，为了保持电中性，结构中引入电子空穴。这种材料为P型半导体。第62页，共119页，星期日，2025年，2月5日由于存在向隙负离子，使负离子过剩型的结构（III）hh第63页，共119页，星期日，2025年，2月5日Cu2O、FeO属于这种类型的缺陷。当在晶格中存在阳离子空位时，为了保持电中性，在正离子空位周围捕获电子空穴。4）阳离子空位型（负离子过剩）以Fe1-xO为例：可看作Fe2O3在FeO中的固溶体。等价于：由此可见，铁离子空位本身带负电，为了保持电中性，两个电子空穴被吸引到这空位的周围，形成一种V-色心。缺陷反应：第64页，共119页，星期日，2025年，2月5日由于正离子空位的存在，引起负离子过剩型结构缺陷（IV）h第65页，共119页，星期日，2025年，2月5日3、非化学计量化合物的性质：2）可以看作是高价化合物与低价化合物的固溶体。1）缺陷浓度大小与气氛性质、压力有关。3）缺陷浓度与温度有关。4）非化学计量化合物都是半导体。小结：以非化学计量的观点来看问题，世界上所有的化合物，都是非化学计量的，只是非化学计量的程度不同而已。第66页，共119页，星期日，2025年，2月5日二、线缺陷（位错）完整晶体塑性变形（滑移的模型）→金属晶体的理论强度比实测强度高出几个数量级→晶体线缺陷模型→以位错滑移模型计算出的晶体强度，与实测值基本相符。位错模型的提出第67页，共119页，星期日，2025年，2月5日完整晶体的塑性变形方式(1)滑移：在外力的作用下，晶体的一部分相对于另一部分，沿着一定晶面的一定晶向发生平移，使晶体面上的原子从一个平衡位置平移到另一个平衡位置，此过程称为滑移。单晶试棒在拉伸应力作用下的变化（宏观）第68页，共119页，星期日，2025年，2月5日ττ滑移的结果：塑性变形，表面形成台阶。外力作用下晶体滑移示意图（微观）第69页，共119页，星期日，2025年，2月5日(2)孪生：晶体塑性变形的另一种机制是孪生，即在外力的作用下，晶体的一部分相对于另一部分，沿着一定晶面与晶向发生切变，切变之后，两部分晶体的位向以切变面为镜面呈对称关系。发生切变的晶面和方向分别叫孪晶面和孪生方向。变形后发生切变的部分和与其呈晶面对称的部分构成孪晶，其界面构成共格界面。晶体的塑性与强度是反映晶体滑移或孪生的两个相反的指标。第70页，共119页，星期日，2025年，2月5日1、位错定义：指在一维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列所产生的缺陷。位错是一种极为重要的晶体缺陷，对材料的强度、塑性变形、扩散、相变等影响显著。实际晶体在结晶时，受到杂质、温度变化或振动产生的应力作用或晶体由于受到打击、切割等机械应力作用，使晶体内部原子排列变形，原子行列间相互滑移，不再符合理想晶体的有序排列，形成线状缺陷。第71页，共119页，星期日，2025年，2月5日透射电镜下观察到的位错线1956年，晶体错位被实验观察所证实，位错理论得到广泛接受。第72页，共119页，星期日，2025年，2月5日2、位错类型1）刃位错：位错线与原子滑移方向(即伯格斯矢量b)相垂直根据原子的滑移方向和位错线取向的几个特征不同，位错分为：位错混合位错螺位错刃位错第73页，共119页，星期日，2025年，2月5日EF线犹如砍入晶体的一把刀的刀刃EF,晶体已滑移部分和未滑移部分的交线位错线:刃位错:位错线(EF)半原子面(EFGH)产生：晶体在大于屈服值的切应力t作用下，以ABCD面为滑移面发生滑移。EFGH左侧已发生了相对滑移，右侧尚未移动。EFGH相当于终止于晶体内部的半个原子面。以EF为中心的一个管道，其直径一般为3~4个原子间距，在此范围内，原子位置有较大畸变第74页，共119页，星期日，2025年，2月5日（1）正刃型位错:半原子面在滑移面上方。用“┴”表示分类：正刃位错，“┻”；负刃位错，“┳。第75页，共119页，星期日，2025年，2月5日半个原子面在滑移面下方。（2）负刃型位错:用“┬”表示。第76页，共119页，星期日，2025年，2月5日（1）刃位错的几何特征是位错线与原子滑移方向(即柏氏