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HotWorkingTechnology2022,Vol.51,No.7
參#造技术籲
单晶硅衬底对Si-Al合金中块体硅生长的影响
张鸣，BensonKihonoNjuguna,谭毅，李佳艳
(大连理工大学材料科学与工程学院，辽宁大连116024)
摘要：硅与合金熔体的分离及合金元素的回收再利用一直是限制Si-Al合金凝固精炼工艺进一步应用的关键问
题。本文采用温度梯度区域熔炼方法在Si-Al合金中生长块体硅。通过在合金熔体的底部引人单晶硅衬底，研究单晶衬
底对于块体硅生长的形貌及杂质分布的影响。结果表明，单晶硅衬底的添加降低了合金熔体的温度梯度，块体硅以平直
界面向上生长，生长速率明显变慢。在温度梯度2.4K/和生长时间240tnin时，块体硅的生长速率由石墨坩埚上的
0.108pm/s下降至Si(100)衬底上的0.075ixm/s。在相同的温度梯度和生长时间内，块体硅在Si(100)衬底上的生长速
率明显快于Si(lll)衬底。单晶硅衬底在块体硅生长过程中起到籽晶的作用。
关键词：Si-Al合金；单晶硅衬底；类单晶硅
DOI:10.14158/j.cnki.1001-3814.
中图分类号：TG24文献标识码：A文章编号：1001-3814(2022)07-0066-06
EffectofSingleCrystalSiliconSubstrateonBulkSiliconGrowthinSi-AlAlloy
ZHANGMing,BensonKihonoNjuguna,TANYi,LIJiayan
(SchoolofMaterialsScienceandEngineering,DalianUniversityofTechnology,Dalian116024,China)
Abstract：Theseparationofsiliconfromalloymelt,andtherecoveryandreuseofalloyelementsarekeyissueslimiting
thefurtherapplicationofSi-Alalloysolidificationrefiningprocess.Thetemperaturegradientzonemeltingmethodwasused
forthegrowthofbulksiliconinSi-Alalloy.Byintroducingasinglecrystalsiliconsubstrateatthebottomofthealloymelt,the
influenceonthemorphologyofbulksilicongrowthandimpuritydistributionwasstudied.Theresultsshowthattheaddition
ofasinglecrystalsiliconsubstratereducesthetemperaturegradientofthealloymelt,bulksilicongrowsupwithastraight
interface
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