集成电路可靠性 (2).pptVIP

*第1页，共36页，星期日，2025年，2月5日1.名词解释中位寿命：满足的t0.5称为中位寿命，即寿命比它长和比它短的产品各占一半时的时刻。可靠性定义：可靠性是指产品在规定的条件和规定的时间内，完成规定的功能的能力。*第2页，共36页，星期日，2025年，2月5日衬底热电子(SHE)效应：热电子来源于衬底电流，在势垒区电场的加速下运动到Si-SiO2界面，其中部分电子的能量可以达到或超过Si-SiO2势垒高度，便注入到栅氧化层中去，被电子陷阱所俘获，相应的调制了硅表面势，引起MOS器件跨导的下降及阈值电压的漂移，这就是热电子损伤。*第3页，共36页，星期日，2025年，2月5日*第4页，共36页，星期日，2025年，2月5日沟道热电子(CHE)效应：热电子来源于表面沟道电流，是从源区向漏区运动的电子，在漏结附近受到势垒区电场加速，电子获得了能量而被加速，成为热电子。这些热电子中能量较高的，可以越过Si-SiO2势垒，注入到SiO2中去，同衬底热电子一样，被陷阱中心所俘获，产生热电子损伤。沟道热电子效应与衬底热电子效应不同，它仅改变了漏结附近SiO2中的电荷分布。*第5页，共36页，星期日，2025年，2月5日*第6页，共36页，星期日，2025年，2月5日浪涌的定义及其数学模型公式：超出正常工作电压的瞬间过电压，本质上讲，浪涌是发生在仅仅几百万分之一秒时间内的一种剧烈脉冲。*第7页，共36页，星期日，2025年，2月5日应力的定义：指的是在某一瞬间，外界对器件施加的部分或全部影响。例如：温度、湿度、机械力、电流、电压、频率射线强度等，都是应力。从广义上讲，时间也是一种应力。特征寿命：满足的称为特征寿命。*第8页，共36页，星期日，2025年，2月5日集成电路失效分析的基本原则：先调查、了解与失效有关的情况(器件类型、实效现象、应力条件等)，后分析失效器件。先做外部分析，后做内部(解剖)分析。先做非破坏分析，后做破坏分析。*第9页，共36页，星期日，2025年，2月5日画出浴盆曲线，解释其每一段的含义(也可举例说明)，并描述偶然失效期的数学模型：*第10页，共36页，星期日，2025年，2月5日偶然失效期的数学模型：是指数函数，其失效概率密度为：可靠度为：失效率为：*第11页，共36页，星期日，2025年，2月5日f(t)tR(t)tλ(t)t失效概率密度可靠度失效率*第12页，共36页，星期日，2025年，2月5日闩锁效应：是指在芯片的电源和地之间存在一个低阻抗寄生的BJT管通路，由于存在正反馈，所以产生很大的电流，导致电路无法正常工作，甚至烧毁电路的现象。*第13页，共36页，星期日，2025年，2月5日二次击穿：当器件被偏置在某一特殊工作点时，电压突然降落，电流突然上升，出现负阻的物理现象叫二次击穿。(不是第二次击穿)二次击穿是破坏性的热击穿，为不可逆过程，有过量电流流过PN结，温度很高，使PN结烧毁。(雪崩击穿是一次击穿)*第14页，共36页，星期日，2025年，2月5日二次击穿(BJT)发射结反偏(R)发射结正偏(F)基极开路(O)*第15页，共36页，星期日，2025年，2月5日故障树分析法：在系统设计过程中，通过对可能造成系统故障的各种因素（包括硬件、软件、环境、人为因素等）进行分析，画出逻辑框图（即故障树），从而确定系统故障原因的各种可能组合方式及其发生概率，以计算系统故障概率，采取相应的纠正措施，以提高系统可靠性的一种设计分析方法。*第16页，共36页，星期日，2025年，2月5日2.简答题可靠性数学模型的定义和种类?及它们之间的区别?从数学上建立可靠性框图与时间、事件和故障率数据的关系；这种模型的“解”就是所预计的产品可靠性。种类：基本可靠性模型和任务可靠性模型区别：*第17页，共36页，星期日，2025年，2月5日基本可靠性模型：基本可靠性模型是用以估计产品及其组成单元发生故障所引起的维修及保障要求的可靠性模型。是全串联模型；储备单元越多，系统的基本可靠性（无故障持续时间和概率）越低。*第18页，共36页，星期日，2025年，2月5日任务可靠性模型用以估计产品在执行任务过程中完成规定功能的概率（在规定任务剖面中完成规定任务功能的能力），描述完成任务过程中产品各单元的预定作用，用以度量工作有效性的一种可靠性模型。系统中储备单元越多，则其任务可靠性越高。*第19页，共36页，星期日，2025年，